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FQD2N100TM

制造商：ON Semiconductor

描述：Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 1000 V, 1.6 A, 9 ?, DPAK

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    1.6 A
  • 額定電壓
    900 V
  • 閾值電壓
    5 V
  • 閘/源截止電壓
    5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    1.6 A
  • 輸入偏置電容@25V
    520 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    7.1 Ω
  • 漏源電壓
    1 kV
  • 漏源極擊穿電壓
    1 kV
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,800mA
    9 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    9 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    15.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    13 ns
  • 反向傳輸電容
    5 pF
  • 功率耗散
    50 W
  • 擊穿電壓
    1000 V
  • 關(guān)閉延遲時間
    25 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    35 ns
  • 上升時間
    30 ns

Physical

  • 重量
    10 mlb
  • 配置
    Single
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.3 mm
  • 長度
    6.6 mm
  • 寬度
    6.1 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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