FQD17P06TM
FQD17P06TM是一款大功率MOS管，
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 135 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 60 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8.7 S
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 100 ns
系列: FQD17P06
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 22 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
745瀏覽量
23209
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
FQD11P06 / FQU11P06 P溝道QFET? MOSFET：特性與應(yīng)用解析
FQD11P06 / FQU11P06 P溝道QFET? MOSFET：特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源和功率控制電路中。今天我們要探討
深入解析FQD17P06 / FQU17P06 P-Channel QFET? MOSFET
深入解析FQD17P06 / FQU17P06 P-Channel QFET? MOSFET 一、前言 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要詳細(xì)探討的是Fairchild
FQD8P10 / FQU8P10 P-Channel QFET? MOSFET：特性與應(yīng)用解析
FQD8P10 / FQU8P10 P-Channel QFET? MOSFET：特性與應(yīng)用解析 一、公司背景與產(chǎn)品編號變更 Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于
FQD7P20 P溝道MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
FQD7P20 P溝道MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET作為一種關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天，我們來詳細(xì)探討一下 onsemi 公司生產(chǎn)
深入解析 onsemi FQD30N06 N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi FQD30N06 N 溝道 MOSFET 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計中。今天我們就來深入探討 onsemi 公司
深入解析 onsemi FQD8P10TM-F085 P-Channel MOSFET
深入解析 onsemi FQD8P10TM-F085 P-Channel MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種
深入解析 onsemi FQD8P10TM-F085 P-Channel MOSFET
深入解析 onsemi FQD8P10TM-F085 P-Channel MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種
安森美FQP17P06 P溝道MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析
安森美FQP17P06 P溝道MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能對電路的穩(wěn)定性和效率起著至關(guān)重要的作用。今天我們要深入探討的是安森美
onsemi FQPF47P06和FQPF47P06YDTU P溝道MOSFET深度解析
onsemi FQPF47P06和FQPF47P06YDTU P溝道MOSFET深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來
深入解析NTD20P06L與NTDV20P06L MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用
深入解析NTD20P06L與NTDV20P06L MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們來詳細(xì)了解一下安森美（onsemi
探索FQD3P50 P溝道MOSFET：性能、特性與應(yīng)用
（onsemi）的FQD3P50 P溝道MOSFET，了解它的特點、性能以及適用場景。 文件下載： FQD3P50TM-D.PDF 一、FQD3P50概述
Onsemi FQD2P40 P-Channel MOSFET：性能與應(yīng)用解析
Onsemi FQD2P40 P-Channel MOSFET：性能與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中
深入解析Onsemi FQD3P50 P溝道MOSFET
，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）以及電子燈鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域。本文將深入剖析FQD3P50的各項特性，為電子工程師在設(shè)計中提供全面的參考。 文件下載： FQD3P50TM-D.PDF 產(chǎn)品概述
安森美FQD2P40 P溝道MOSFET：性能與應(yīng)用解析
安森美FQD2P40 P溝道MOSFET：性能與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）的FQD2P40 P
P1010WSN1ME01（TM101DDHG06-72）10.1寸
*附件：P1010WSN1ME01（TM101DDHG06-72）Final Spec_V2.1總圖標(biāo)簽位置更正.pdf
發(fā)表于 09-13 15:52
評論