產(chǎn)品
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PXAE183708NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 320 W CREE2022-07-14 17:06
產(chǎn)品型號：PXAE183708NB-V1 峰值 P3dB：315 W 典型值 P1dB 時的輸出功：320 W P3dB 時的輸出功：430 W 排水效率：60% 增益：13.5 分貝 -
PXFC191507FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET 150 W2022-07-14 16:57
產(chǎn)品型號：PXFC191507FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：1990 兆赫 輸出功率：P1dB = 140 W 效率：54% 增益 ：19.5 分貝 輸出功率：150 W (CW) -
PXFE211507FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET2022-07-14 16:49
產(chǎn)品型號：PXFE211507FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2140兆赫 P1dB時的輸出功率：172W P3dB輸出功率：208 W P3dB 時的效率：64.4% 增益：20.3 分貝 -
WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)2022-07-14 16:37
產(chǎn)品型號：WSGPA01-V1 工作頻率：：高達(dá) 5 GHz P3dB：：高達(dá) 10 W 電源電壓：：高達(dá) 50 V 技術(shù)：GaN on SiC HEMT -
PTFC210202FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET2022-07-14 16:03
產(chǎn)品型號：PTFC210202FC-V1 典型的連續(xù)波性能：2170兆赫 組合輸出：：P1dB = 28 W 時的輸出功率 增益：20.9 分貝 效率：62% 輸出功率：28 W (CW) -
PTAC210802FC-V1高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-14 15:42
產(chǎn)品型號：PTAC210802FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2170兆赫 輸出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 % 增益 ：14 分貝 輸出功率：80 W (CW) -
GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-14 15:28
產(chǎn)品型號：GTVA355001EC 脈沖寬度：300 μs 占空比：10% 輸出功率：P3dB = 500 W 排水效率：65% 增益：13 分貝 -
GTVA220701FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-14 14:41
產(chǎn)品型號：GTVA220701FA-V1 輸出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分貝 輸出功率：40 W (CW) -
GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-14 14:28
產(chǎn)品型號：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 輸出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5% 增益： 17.5 分貝 (WCDMA) 輸：56.2 W -
GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-12 15:04
產(chǎn)品型號：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 輸出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%； 增益：18 分貝 IDQ：100 毫安