產(chǎn)品
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MRF136 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 MACOM品牌2022-07-08 18:17
產(chǎn)品型號(hào)：MRF136 晶體管極性:：N-Channel 工作頻率:：400 MHz 增益:：16 dB 輸出功率:：15 W 最小工作溫度:：- 65 C -
GTRA360502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-08 10:50
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脈沖：連續(xù)波性能 占空比：10% 輸出功率為P3dB：50w 排水效率：62% -
GTRA263902FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-08 10:36
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA263902FC-V2 輸出功率為：P3dB = 370 W 典型脈沖：連續(xù)波性能 效率：70% 增益：15 dB -
GTRA262802FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-08 10:25
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA262802FC-V2 連續(xù)波性能：典型的脈沖 脈沖寬度：16 μs 占空比：10% 輸出功率為：P3dB = 250 W 增益：14.4 dB -
GTRA260502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-08 10:12
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA260502M-V1 連續(xù)波性能：典型脈沖 占空比：10% 效率：64% 輸出功率：P3dB = 50 W -
GTRA214602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-08 09:13
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA214602FC-V1 P3dB ：170 W 典型值 峰值：350 W 典型值 增益：15 dB 效率：60% -
GTRA184602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-04 11:44
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA184602FC-V1 技術(shù)：GaN on SiC HEMT 輸出功率：：460 W @ P3dB 效率：：62% @ POUT = 49 dBm 增益：：16 dB @ POUT = 49 dBm -
CMPA901A035F-AMP氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)評(píng)估板2022-07-04 10:07
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA901A035F-AMP 典型輸出功率： 40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE： 35% 工作電壓：高達(dá) 28 V -
CMPA901A035F1氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-04 10:06
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA901A035F1 典型輸出功率：40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE ：35% 工作電壓：高達(dá) 28 V -
CMPA901A035F氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-04 10:04
產(chǎn)品型號(hào)：CMPA901A035F 典型輸出功率： 40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE ：35% 工作電壓：高達(dá) 28 V