產(chǎn)品
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CMPA801B025F-AMP HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)評估板2022-07-01 11:23
產(chǎn)品型號：CMPA801B025F-AMP 小信號增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA801B025P HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-01 11:22
產(chǎn)品型號：CMPA801B025P 小信號增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA801B025F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-01 11:20
產(chǎn)品型號：CMPA801B025F 小信號增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA801B025D HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-01 11:19
產(chǎn)品型號：CMPA801B025D 小信號增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA5585030F-AMP HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)評估板2022-07-01 10:33
產(chǎn)品型號：CMPA5585030F-AMP 小信號增益：30 dB 典型 PSAT：高達(dá) 50 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA5585030F HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-01 10:32
產(chǎn)品型號：CMPA5585030F 小信號增益：30 dB 典型 PSAT：高達(dá) 50 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
CMPA5585030D HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-07-01 10:30
產(chǎn)品型號：CMPA5585030D 小信號增益：30 dB 典型 PSAT：高達(dá) 50 W 工作電壓：高達(dá) 28 V 擊穿電壓：高擊穿電壓 操作溫度：高溫操作 -
DMD5029功率晶體管TT Electronics2022-06-30 19:59
產(chǎn)品型號：DMD5029 工作電壓：20V 功率輸出：5W 測試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍 ：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
DMD5028功率晶體管TT Electronics2022-06-30 19:57
產(chǎn)品型號：DMD5028 工作電壓：20V 功率輸出： 5W 測試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍 ：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
DMD5012功率晶體管TT Electronics2022-06-30 19:55
產(chǎn)品型號：DMD5012 工作電壓：20V 功率輸出： 5W 測試頻率：1GHz 應(yīng)用范圍 ：1-1000MHz 有源FET配置：3