產(chǎn)品
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PTRA097008NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 630 W CREE2022-07-15 09:40
產(chǎn)品型號：PTRA097008NB-V1 峰值 P1dB： 400 W 典型值 占空比：10% P1dB輸出功率：180 W P3dB輸出功率：600 W 效率：52% -
PTRA093818NF-V1 大功率射頻 LDMOS FET 415 W CREE2022-07-15 09:30
產(chǎn)品型號：PTRA093818NF-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：960兆赫 峰值 P1dB：250 W 典型值 P3dB輸出功率：375 W 效率：55% 增益：18 分貝 -
PTRA087008NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 650 W CREE2022-07-15 09:14
產(chǎn)品型號：PTRA087008NB-V1 峰值 P1dB：380 W 典型值 典型的脈沖連續(xù)波性能：805兆赫 P3dB輸出功率：650 W 效率：52% 增益：19.5 分貝 -
PTRA082808NF-V1 高功率射頻 LDMOS FET 280 W CREE2022-07-14 18:27
產(chǎn)品型號：PTRA082808NF-V1 P1dB：115 W Typ 峰值：P1dB： 165 W 典型值 增益：16.2 分貝 P3dB輸出功率：250 W -
PTGA090304MD-V2 寬帶 LDMOS 兩級集成功率放大器 2 x 20 W CREE2022-07-14 18:18
產(chǎn)品型號：PTGA090304MD-V2 P1dB 時的輸出功：45 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm P1dB 時的效率 ：48.1% 典型的 CW 性能：960 MHz，50 V -
PTGA090304MD-V2 寬帶 LDMOS 集成功率放大器 2 X 15 W CREE2022-07-14 18:10
產(chǎn)品型號：PTGA090304MD-V2 典型的 CW 性能：960 MHz，50 V P1dB 時的輸出功：45 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm P1dB 處的線性增：31 dB P1dB 時的效率：48.1% -
PTFC270101M-V1 大功率射頻 LDMOS FET 10 W CREE2022-07-14 18:01
產(chǎn)品型號：PTFC270101M-V1 輸出功率@P1dB ：10 W 增益： 20 分貝 效率：60% 輸出功率 ：1.3 W 輸出功率：10 W (CW) -
PXAC210552FC-V1 高功率射頻 LDMOS FET CREE2022-07-14 17:50
產(chǎn)品型號：PXAC210552FC-V1 P1dB：35 W 典型值 P1dB 時的輸出功：27 W 增益 ：17 分貝 效率：59% 輸出功率：55 W (CW) -
PXAD184218FV-V1 大功率射頻 LDMOS FET 420 W CREE2022-07-14 17:27
產(chǎn)品型號：PXAD184218FV-V1 峰值 P1dB：290 W 典型值 P3dB 時的輸出功：420 W 效率： 62% 增益：14 分貝 輸出功率：110 W (WCDMA) -
PXAE213708NB-V1 LDMOS Doherty 晶體管 CREE2022-07-14 17:16
產(chǎn)品型號：PXAE213708NB-V1 主 P3dB ：160 W Typ 峰值 P3dB典型值：290 W 典型的脈沖連續(xù)波性能：2180兆赫 P3dB輸出功率：400 W P3dB功率附加效率： 60.3%