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IP2036_23S 是一款集高效、低 EMI、高集成度于一體的 AC/DC 反激控制器 一、核心特性1、高效節(jié)能寬輸入/輸出電壓范圍適配不同應(yīng)用場景，結(jié)合頻率折返與谷底導(dǎo)通技術(shù)減少開關(guān)損耗，實現(xiàn)高效率運行。輕載或空載時進(jìn)入突發(fā)模式，工作電流低至 250μA，顯著降低待機(jī)功耗，滿足 CoC V5 和 DoE VI 等嚴(yán)格能效標(biāo)準(zhǔn)。2、寬頻靈活自適應(yīng)開關(guān)頻率范

英集芯IP2075_34S 是英集芯科技推出的一款高性能AC-DC反激控制器芯片，專為氮化鎵（GaN）充電器、快速充電器及電源適配器等應(yīng)用設(shè)計，具備高集成度、高效率及多重保護(hù)機(jī)制等特點。以下是對該芯片的詳細(xì)介紹： 一、核心特性集成氮化鎵（GaN）FET：內(nèi)置高壓氮化鎵功率管，具備高耐壓、高開關(guān)速度特性，提升電源轉(zhuǎn)換效率。省去傳統(tǒng)啟動電阻，降低待機(jī)功耗。交流輸

普冉MS32C001-C是一款基于32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核的高性價比、低功耗單片機(jī)，適用于多種低成本嵌入式應(yīng)用場景。 以下是關(guān)于該單片機(jī)的詳細(xì)介紹： 一、核心特性1、內(nèi)核與主頻采用32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核，主頻最高24MHz，支持單周期乘法器，性能滿足基礎(chǔ)控制需求。2、存儲資源內(nèi)置18KB Flash存儲器，用于存放用戶程序；1.

安丘博陽機(jī)械制造的碳酸鈣粉噸袋包裝機(jī)，是一款集電子稱重、自動脫袋與除塵功能于一體的計量式噸袋包裝設(shè)備。該設(shè)備專為粉體物料設(shè)計，能有效解決碳酸鈣粉含氣量大、流動性差等包裝難題，通過螺旋強(qiáng)制給料結(jié)構(gòu)實現(xiàn)物料加密排氣，確保包裝后料袋充實，計量精度高。設(shè)備采用可編程PLC控制系統(tǒng)，搭配高精度傳感器，具備自動去皮、自動校零、落差自動修正等功能。包裝時僅需人工掛袋，設(shè)備

產(chǎn)品概述DSDB-C過電壓保護(hù)器測試儀廣泛地用于各種電氣設(shè)備工頻放電電壓的測試，尤其是對帶間隙的氧化鋅過壓保護(hù)器（又稱避雷器或TBP）的工頻放電電壓測試具有獨特的功效。DSDB-C過電壓保護(hù)器測試儀是德試電氣研制開發(fā)的一種新產(chǎn)品。采用一種新型的特殊電路，對試驗電壓波形進(jìn)行監(jiān)測，同時采集電流回路的放電脈沖信號，自動判斷間隙放電，鎖存放電瞬間的電壓峰值，同時發(fā)出

概述DSBJ-B避雷器計數(shù)器校驗儀是用來監(jiān)測避雷器放電動作的一種高壓電器，其構(gòu)造由非線性電阻、電磁計數(shù)器和一些電子元件組成。在正常運行電壓下，流過計數(shù)器的漏電流非常小，計數(shù)器不動作。當(dāng)避雷器通過雷電波、操作波和工頻過電壓時，強(qiáng)大的工作電流從計數(shù)器的非線性電阻通過，經(jīng)過直流變換，對電磁線圈放電而使計數(shù)器吸動一次，來實現(xiàn)測量避雷器動作次數(shù)的裝置。在結(jié)構(gòu)上采用電阻

產(chǎn)品概述 DSTP-C低壓拓?fù)溆秒姍z查儀采用工頻載波調(diào)制技術(shù)進(jìn)行臺區(qū)識別，在相鄰變壓器共壓、共地、共電纜溝以及通信基站影響的情況下可以準(zhǔn)確的進(jìn)行臺區(qū)識別。識別儀由手持式主機(jī)及從機(jī)組成，主機(jī)與從機(jī)完全相同均可用于臺區(qū)二次側(cè)或被測點，雙向識別臺區(qū)。對于距離長、干擾嚴(yán)重等惡劣環(huán)境的線路，電力載波信號可能無法有效傳輸，即使這種情況DSTP-C低壓拓?fù)溆秒姍z查儀也只需

VBsemi AP2306CGTN-HF-VB 晶體管：- 類型：N-Channel 溝道- 額定電壓：20V- 額定電流：6A- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓：0.45~1V- 封裝：SOT23應(yīng)用簡介：該晶體管適用于各種電子模塊，特別是需要 N-Channel 溝道的應(yīng)用。由于其低阻態(tài)時的 RDS(ON) 和

### STP8NC60FP-VB MOSFET - 產(chǎn)品簡介STP8NC60FP-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，具有高達(dá) 650V 的漏源電壓（V_DS）和最大 10A 的漏極電流（I_D）。該 MOSFET 采用 Plannar 技術(shù)，設(shè)計用于高電壓應(yīng)用，特別是在需要較高開關(guān)速度、低開關(guān)損耗和高可靠性的電力電子設(shè)備中

### 產(chǎn)品簡介：TK3A60DA-VBTK3A60DA-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，具有 650V 的漏源耐壓 (V_DS) 和最大漏極電流 4A。該 MOSFET 的柵極-源極電壓范圍為 ±30V，閾值電壓 (V_th) 為 3.5V，R_DS(ON) 在 V_GS=10V 時為 2560mΩ。采用 Planna