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### 產(chǎn)品簡介：TK3A60DA-VBTK3A60DA-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，具有 650V 的漏源耐壓 (V_DS) 和最大漏極電流 4A。該 MOSFET 的柵極-源極電壓范圍為 ±30V，閾值電壓 (V_th) 為 3.5V，R_DS(ON) 在 V_GS=10V 時為 2560mΩ。采用 Planna

### 產(chǎn)品簡介**TK3A65DA-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型功率 MOSFET，具有 **650V** 的耐壓能力，適用于高壓電源和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該型號的柵源電壓范圍為 **±30V**，其 **Vth**（閾值電壓）為 **3.5V**，在 **VGS = 10V** 時，具有 **2560mΩ** 的導(dǎo)通電阻（RD

### 一、IRFR222-VB 產(chǎn)品簡介IRFR222-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，基于 Trench 技術(shù)設(shè)計。它具有 200V 的最大漏極-源極電壓（VDS）和 10A 的最大漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 245mΩ，適用于中等電流的高電壓應(yīng)用。IRFR222-VB 的高電壓能力和可靠的開

### 產(chǎn)品簡介**IRFR3708TRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電流低電壓應(yīng)用設(shè)計。它具有最大漏極源極電壓（VDS）為30V，漏極電流（ID）高達(dá)80A。這款MOSFET使用Trench技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，非常適合用于要求高效電流傳輸和開關(guān)控制的應(yīng)用場景。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **型

### 產(chǎn)品簡介**IRFR430BTF-VB** 是一款高耐壓N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏極源極電壓（VDS）為650V，漏極電流（ID）達(dá)到5A。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有相對較高的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能，適用于需要高電壓耐受能力的場合。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **型號**: IRFR4

### IRFRC20PBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介IRFRC20PBF-VB 是一款單N溝道MOSFET，封裝為TO252（DPAK）。該器件主要用于高耐壓應(yīng)用，能夠承受高達(dá)650V的漏極-源極電壓。IRFRC20PBF-VB 采用了平面（Plannar）技術(shù)，適合在高電壓、高功率應(yīng)用中使用。盡管它的導(dǎo)通電阻相對較高，但其高耐壓能力使其在需要處理高電

### 產(chǎn)品簡介**IRFU230A-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 TO252，采用 Trench 技術(shù)。它設(shè)計用于中高電壓應(yīng)用，具有優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)定性。這款 MOSFET 提供了適中的導(dǎo)通電阻和良好的電流處理能力，使其適用于各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用，能夠在高電壓和中等電流的工作條件下高效運行。### 詳細(xì)參數(shù)說明- *

### IRLR130ATM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介IRLR130ATM-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適合于處理中到高電壓的應(yīng)用。其最大漏源電壓 (VDS) 為 100V，支持的柵極驅(qū)動電壓 (VGS) 為 ±20V。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.8V，確保在較低柵極電壓下也能有效開啟。I

### IRLR130TR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介IRLR130TR-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO252封裝。它設(shè)計用于處理中等電壓和電流的應(yīng)用。該MOSFET 支持最高100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），具有1.8V的柵閾值電壓（Vth）。其導(dǎo)通電阻為114mΩ@VGS=10V，最大漏極電流為15A。IR

### IRLR8203TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介IRLR8203TRPBF-VB 是一款高性能的N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝。這款MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力，非常適合高電流和高效率應(yīng)用。其漏源極電壓（VDS）為30V，能夠處理最大100A的漏極電流（ID）。采用Trench技術(shù)，IRLR8203TRPBF-