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HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備 一：功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件

HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備 一：功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種

3225溫補(bǔ)晶振1. 超小尺寸，3225封裝尺寸4P貼片溫補(bǔ)晶振2. Cilpped Sine wave/CMOS輸出,頻率范圍13~52MHZ3. TCXO溫補(bǔ) /VC-TCXO壓控溫補(bǔ)可選4. 超高精度0.5ppm~2.5ppm，振蕩信號(hào)輸出穩(wěn)定5. 低工作電壓1.8V~3.3V，低相位噪音6. 通過(guò)RoHS綠色環(huán)保認(rèn)證,符合Pb-Free環(huán)保要求7.

這是一款針對(duì)nRF54LM20A SoC的開(kāi)發(fā)套件。這款經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的單板開(kāi)發(fā)套件使開(kāi)發(fā)人員能夠充分利用無(wú)線SoC的所有功能。 該開(kāi)發(fā)套件由全面的nRF Connect工具集提供支持，并集成于nRF Connect SDK中。開(kāi)發(fā)者可借助nRF Connect SDK內(nèi)豐富的軟件示例、模組及庫(kù)文件，充分挖掘nRF54LM20A的全部潛力。 特征nRF54LM20

**IRLR3802TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**IRLR3802TRPBF-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，利用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有 20V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS)。其閾值電壓 (Vth) 范圍為 0.5V 到 1.5V，這使

### K4080-ZK-E2-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介K4080-ZK-E2-AY-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 通道 MOSFET，設(shè)計(jì)用于低壓、高電流應(yīng)用。它具有最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V，柵極源極電壓 (VGS) 為 ±20V 的特性，提供較寬的操作電壓范圍。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V，能夠迅速開(kāi)啟

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NCE5055K-VB是一款高性能的單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其額定VDS為60V，VGS可達(dá)到±20V，提供優(yōu)秀的導(dǎo)通性能。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為13mΩ@VGS=4.5V和10mΩ@VGS=10V，最大漏電流ID為58A，采用Trench技術(shù)，確保高效率和低熱耗散，非常適合各種電源

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD4815NHT4G-VB是一款高性能的單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為低壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的電流承載能力，適合于各種電源管理和開(kāi)關(guān)電路，確保高效能和可靠性。### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明- **封裝**: TO252 - **配置**: 單N通道 - **VDS**: 30V - **VGS**: ±2