以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導體此前被廣泛應用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導體銷售營運總監(jiān)李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 前不久，納微半導體剛剛發(fā)布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502394 
增加GaNSense?技術，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262519 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現快充。
2021-12-30 15:06:091791 
2022年1月18日，納微半導體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
納微半導體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機所標配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021867 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim? ，其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ，可為 手機
2024-10-17 16:31:091305 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應用，氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術創(chuàng)新，其影響波及了現今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，并實現了利用傳統半導體技術無法實現
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應用。意法半導體和MACOM為提高意法半導體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導體預計2018年開始量產樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關頻率，已經從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現在已經能制造4寸了。業(yè)內普遍認為，要大規(guī)模生產功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產。此外，上述用于小型 AC轉換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘yLDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩?b class="flag-6" style="color: red">氮化物半導體產業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 納微半導體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 納微半導體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應用。
2021-08-24 09:39:212061 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關拓撲，集成氮化鎵開關管、獨立驅動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102574 
納微半導體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092413 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領導者納微半導體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產品。
2021-11-02 09:51:311292 
氮化鎵作為下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術，集成了氮化鎵功率場效應管（GaN Power［FET］）、驅動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562303 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領導者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術的
2022-07-29 16:17:441027 
未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251383 
了解氮化鎵
-寬帶隙半導體：為什么？
-氮化鎵與其他半導體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統硅基半導體更強。
2023-02-05 12:48:1527991 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:337276 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業(yè)鏈已經初步形成，相關器件快速發(fā)展。第三代半導體氮化鎵產業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵屬于第三代半導體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:014179 來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優(yōu)勢逐漸顯現。其中，氮化鎵憑借著在消費產品快充電源領域的如
2023-02-17 18:13:204107 納微半導體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當天企業(yè)價值10億美元。1個月后，納微半導體再進
2023-02-21 14:57:11
0 領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業(yè)領先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的電子和光學性質，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅動器的所有優(yōu)點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應用。
2023-04-25 11:38:45724 
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優(yōu)良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:4613934 2021年是氮化鎵技術大規(guī)模商用的一年，也是合封氮化鎵芯片快速發(fā)展的一年。東科半導體繼推出國內外首顆合封氮化鎵快充芯片以來，持續(xù)深耕合封工藝，推出了適用于不同功率范圍的高集成氮化鎵芯片。在3月26日
2022-06-21 09:48:084006 
電子展上，納微半導體帶來不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進一步開發(fā)工業(yè)、家電、數據中心服務器、電動汽車等市場。 ? 納微半導體高級現場應用工程師羅月亮對電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192934 
納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低
2023-09-01 14:46:041591 
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應用內樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453102 作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
隨著科技的不斷發(fā)展，無線通信、射頻設備和微波應用等領域對高性能功率放大器的需求不斷增加。為滿足這些需求，半導體行業(yè)一直在不斷尋求創(chuàng)新和進步。其中，氮化鎵功率芯片已經成為一項引領潮流的技術，為高頻、高功率應用提供了全新的解決方案。
2023-10-18 09:13:142240 
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發(fā)，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點和優(yōu)勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:3011012 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206433 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221799 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 隨著信息技術和通信領域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關注。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應用領域，并
2024-01-10 09:25:573841 氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發(fā)展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和差異。 首先，從材料屬性上來看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優(yōu)良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:414136 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關重要。下面將詳細介紹氮化鎵
2024-01-10 10:11:392150 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442671 在科技日新月異的今天，充電技術正不斷取得新的突破。近日，納微半導體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領域展現出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138 輝煌的十年。 ? 如今，納微在氮化鎵產品線上不斷拓展，最近重磅發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領域，進一步
2024-10-23 09:43:592386 
專注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，自成立以來，始終致力于推動氮化鎵技術的創(chuàng)新與應用。公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品線覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片以及模組等多個領域，能
2025-01-02 14:36:301526 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081238 
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:393004 
日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市場的應用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產品家族， 集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264304 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導體今日正式宣布推出 全新專為電機驅動
2025-05-09 13:58:181262 
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