雙向GaNFast氮化鎵功率芯片搭配新型IsoFast驅(qū)動器，打造高效單級拓撲，全面提升AC-DC與AC-AC轉(zhuǎn)換能效、功率密度及性能

加利福尼亞州托倫斯2025年3月12日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器，通過單級BDS（雙向開關(guān)）變換器實現(xiàn)電源技術(shù)范式躍遷。該技術(shù)將推動傳統(tǒng)雙級拓撲向單級架構(gòu)轉(zhuǎn)型，目標市場涵蓋電動汽車充電（車載充電機OBC及充電樁）、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及電機驅(qū)動等領(lǐng)域，開啟數(shù)十億美元級市場機遇。

目前，超過70%的高壓功率變換器采用雙級拓撲，例如AC-DC車載充電機需先經(jīng)PFC級，再經(jīng)DC-DC級，并依賴笨重的直流母線電容緩沖，復(fù)雜的架構(gòu)導(dǎo)致此類系統(tǒng)體積龐大、能效低下且成本高昂。雙向GaNFast氮化鎵技術(shù)將兩級整合為單級高頻高效架構(gòu)，徹底消除電容與輸入電感，成為電動汽車OBC等場景的終極解決方案。

單級OBC設(shè)計參考

一家領(lǐng)先的電動汽車及光伏微逆制造商已開始采用單級BDS變換器以提升其系統(tǒng)效率、縮小尺寸并降低成本。搭載GaNFast的單級變換器可實現(xiàn)高達10%的降本、20%的節(jié)能以及50%的體積縮減。

理想的功率半導(dǎo)體開關(guān)（晶體管）需具備雙向電壓阻斷能力及電流導(dǎo)通能力，并以最高效率實現(xiàn)能量控制。納微憑借在氮化鎵創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，成功推出這一里程碑產(chǎn)品——雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。

在過去，實現(xiàn)雙向控制需使用兩個分立式“背靠背”的單體開關(guān)，而新型雙向GaNFast氮化鎵功率芯片采用尖端單芯片設(shè)計（單片集成），通過合并漏極結(jié)構(gòu)、雙柵極控制及集成專利的有源基板鉗位技術(shù)，實現(xiàn)雙向開關(guān)的突破。一顆高速高效的雙向GaNFast氮化鎵功率芯片可替代最多4個傳統(tǒng)開關(guān)器件，顯著提升系統(tǒng)性能，同時減少元件數(shù)量、PCB面積和系統(tǒng)成本。

1顆氮化鎵BDS可替代4顆硅基開關(guān)

首批650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片包括料號為NV6427（典型導(dǎo)通電阻為100 mΩ）和NV6428（典型導(dǎo)通電阻為50 mΩ）的兩款產(chǎn)品，采用頂部散熱的TOLT-16L（晶體管外形引腳頂部冷卻）封裝。未來該產(chǎn)品系列將擴增更低導(dǎo)通電阻的型號。

全新IsoFast電氣隔離型高速驅(qū)動器，專為驅(qū)動雙向氮化鎵器件設(shè)計。其瞬態(tài)抗擾度較現(xiàn)有驅(qū)動器提升4倍（最高達200 V/ns），且無需外部負壓供電，可在高壓系統(tǒng)中實現(xiàn)可靠、快速、精準的功率控制。首批產(chǎn)品包括采用SOIC-16N封裝的NV1702（雙通道數(shù)字隔離型雙向氮化鎵柵極驅(qū)動器）及采用SOIC-14W封裝的NV1701（半橋氮化鎵數(shù)字隔離器）兩款料號。

IsoFast六大特性

納微半導(dǎo)體

首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人

Gene Sheridan

“我們?nèi)碌碾p向氮化鎵開關(guān)及數(shù)字隔離驅(qū)動器，是半導(dǎo)體和系統(tǒng)層面真正具有顛覆性的技術(shù)。它們不僅提升了效率、功率密度、設(shè)計簡潔性和系統(tǒng)成本的降本，還將以最可持續(xù)的方式重塑多個價值數(shù)十億美元的市場。

打造全電氣化星球離不開能量的雙向流動。從所有可再生能源、電網(wǎng)到電動汽車和儲能系統(tǒng)，能量應(yīng)實現(xiàn)高效雙向流動，成為未來的關(guān)鍵‘新貨幣’。單級雙向氮化鎵開關(guān)正是這一變革的核心?！?/p>

雙向能量流動的未來展望

雙向GaNFast氮化鎵功率芯片（NV6427和NV6428）已通過品質(zhì)認證并已進入量產(chǎn)階段。IsoFast（NV1701和NV1702）樣品可提供給符合資質(zhì)的客戶。

搭載IsoFast和雙向GaNFast氮化鎵功率芯片的單級評估板及使用說明已向符合資質(zhì)的客戶開放申請。

納微將于2025年3月17日至19日參加在亞特蘭大舉辦的APEC 2025，并在1107號展位上展示雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及IsoFast驅(qū)動器。

同時，納微也會在3月28日參加于深圳舉辦的亞洲充電展，歡迎各界人士到訪，與納微團隊深入交流。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導(dǎo)體公司。