資料介紹
文章中設(shè)計(jì)的新型傳感器在工藝上采用多晶硅掩埋電阻,刻蝕成“S”形正對(duì)聚酰亞胺高分子感濕介質(zhì)下方,在高濕情況下有反饋信號(hào)開啟加熱電阻和選擇高濕下的DSP,單片機(jī)也同樣對(duì)高濕是的數(shù)據(jù)另行運(yùn)算輸出,這樣可以克服采用加熱電阻結(jié)構(gòu)時(shí)整體感濕電容偏小,對(duì)后續(xù)電路精度和抗干擾要求較高。但放棄加熱電阻,完全依賴感濕介質(zhì)的物理吸附,在高濕時(shí),已被吸附的水分子通過(guò)氫鍵作用與水分子鍵合,不但使吸濕量增大從而偏離原來(lái)的線性曲線,而且大量水分子形成團(tuán)簇不易脫附而造成濕滯。
這種新型傳感器即利用了高分子低濕下的相對(duì)濕度與介電常數(shù)良好的線性關(guān)系,又巧妙的在僅在高濕下開啟加熱電阻,加熱電阻加速水分子的熱運(yùn)動(dòng),是感濕介質(zhì)中的吸濕和脫濕處在一個(gè)新的動(dòng)態(tài)平衡中,避免了水分子間的相互鍵合,從而使感濕介質(zhì)實(shí)現(xiàn)二次線性感濕,當(dāng)然高濕和低濕分別用一個(gè)DSP處理。
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