本技術(shù)參考手冊（TRM）詳細說明了設備中每個外圍設備和子系統(tǒng)的集成、環(huán)境、功能描述和編程模型。TRM不應被視為數(shù)據(jù)手冊的替代品，而是應與設備特定數(shù)據(jù)手冊一起使用的配套指南，以了解設備編程的細節(jié)。TRM的主要目的是從數(shù)據(jù)手冊中提取設備的編程細節(jié)。這允許數(shù)據(jù)手冊概述設備的高級功能，而無需有關(guān)寄存器描述或編程模型的不必要信息。

　　閃存通常用于存儲應用程序代碼。在代碼執(zhí)行過程中，指令是從順序內(nèi)存地址獲取的，除非出現(xiàn)不連續(xù)。通常，駐留在順序地址中的代碼部分構(gòu)成了應用程序代碼的大部分，稱為線性代碼。為了提高線性碼的執(zhí)行性能，實現(xiàn)了flash流水線模式。默認情況下，將禁用閃存管道功能。在FOPT寄存器中設置ENPIPE位將啟用此模式。flash管道模式獨立于CPU管道。從閃存或OTP獲取的指令每次讀取64位。從flash訪問的起始地址自動與64位邊界對齊，以便指令位置位于要獲取的64位之內(nèi)。啟用閃存管道模式（見圖1-2）時，從指令提取讀取的64位存儲在64位寬×2級深指令預提取緩沖區(qū)中。然后，這個預取緩沖區(qū)的內(nèi)容被發(fā)送到CPU，以便根據(jù)需要進行處理。單個64位訪問中最多可以駐留兩條32位指令或四條16位指令。大多數(shù)C28x指令是16位的，因此，對于從閃存庫中提取的每64位指令，預提取緩沖區(qū)中可能有多達4條指令準備通過CPU進行處理。在處理這些指令的過程中，flash管道會自動啟動對flash bank的另一次訪問，以預取下一個64位。以這種方式，flash管道模式在后臺工作，以使指令預取緩沖區(qū)盡可能滿。使用這種技術(shù)，從flash或OTP順序代碼執(zhí)行的整體效率得到了顯著提高