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本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種利用多晶硅版圖層次構(gòu)
造靜電電流泄放通道的靜電放電防護(hù)電路。
背景技術(shù)
靜電放電是在一個(gè)集成電路浮接的情況下，大量的電荷從外向內(nèi)灌入
集成電路的瞬時(shí)過程，整個(gè)過程大約耗時(shí)100ns。此外，在集成電路放電時(shí)
會(huì)產(chǎn)生數(shù)百甚至數(shù)千伏特的高壓，這會(huì)打穿集成電路中的輸入級(jí)的柵氧化
層。隨著集成電路中的MOS 管的尺寸越來越小，柵氧化層的厚度也越來
越薄，在這種趨勢(shì)下，使用高性能的靜電防護(hù)電路來泄放靜電放電的電荷
以保護(hù)柵極氧化層不受損害是十分必需的。
靜電放電現(xiàn)象的模式主要有四種：人體放電模式(HBM)、機(jī)械放電模
式(MM)、器件充電模式(CDM)以及電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM)。對(duì)一般集成電路
產(chǎn)品來說，一般要經(jīng)過人體放電模式，機(jī)械放電模式以及器件充電模式的
測(cè)試。為了能夠承受如此高的靜電放電電壓，集成電路產(chǎn)品通常必須使用
具有高性能、高耐受力的靜電放電保護(hù)器件。
造靜電電流泄放通道的靜電放電防護(hù)電路。
背景技術(shù)
靜電放電是在一個(gè)集成電路浮接的情況下，大量的電荷從外向內(nèi)灌入
集成電路的瞬時(shí)過程，整個(gè)過程大約耗時(shí)100ns。此外，在集成電路放電時(shí)
會(huì)產(chǎn)生數(shù)百甚至數(shù)千伏特的高壓，這會(huì)打穿集成電路中的輸入級(jí)的柵氧化
層。隨著集成電路中的MOS 管的尺寸越來越小，柵氧化層的厚度也越來
越薄，在這種趨勢(shì)下，使用高性能的靜電防護(hù)電路來泄放靜電放電的電荷
以保護(hù)柵極氧化層不受損害是十分必需的。
靜電放電現(xiàn)象的模式主要有四種：人體放電模式(HBM)、機(jī)械放電模
式(MM)、器件充電模式(CDM)以及電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM)。對(duì)一般集成電路
產(chǎn)品來說，一般要經(jīng)過人體放電模式，機(jī)械放電模式以及器件充電模式的
測(cè)試。為了能夠承受如此高的靜電放電電壓，集成電路產(chǎn)品通常必須使用
具有高性能、高耐受力的靜電放電保護(hù)器件。
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