處理增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù)

　　硅功率MOSFET為電路設(shè)計者提供了許多好處，使它成為許多應(yīng)用中的明顯選擇。它提供了高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，不像前面的雙極晶體管，MOSFET不遭受熱失控。制造技術(shù)的進(jìn)一步進(jìn)步，使得可以使用垂直配置，并行地提供許多單個晶體管的設(shè)備，進(jìn)一步降低它們的電阻。

　　經(jīng)過幾十年的時間，制造商已經(jīng)改進(jìn)了基本的設(shè)計，在電阻和擊穿電壓方面制定了新的標(biāo)準(zhǔn)。然而，這些參數(shù)一般需要在MOSFET設(shè)計中相互折衷。提高擊穿電壓的技術(shù)傾向于提高電阻。作為一個結(jié)果，逐漸被如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）競爭器件擊穿電壓額定值，需要較高的應(yīng)用與MOSFET。

　　一種選擇是更換材料。氮化鎵（氮化鎵）和碳化硅是硅的潛在替代品，由于這些材料具有更高的帶隙，能夠支持擊穿電壓的大幅度提高而不影響電阻，如圖1所示。

　　Figure 1： Graph of on-resistance versus breakdown voltage for silicon， SiC， and GaN， showing recently introduced GaN transistors.

　　Both SiC and GaN have a higher critical electric field strength than silicon， giving them a superior relationship between on-resistance and breakdown voltage. This allows devices to be made smaller and the electrical terminals brought closer together for a given breakdown-voltage requirement.