盡量減少硅太陽電池中的少子復合和光的反射損失 ， 對于提高太陽電池的效池有很大的幫助。目前適合于硅太陽電池的減反射膜主要有 SiO2、 TiO2、SiN等薄膜 ， 但是 SiO2 的折射率 （1146） 太低 ， 不利于光學減反射 ; TiO2 的折射率雖接近硅太陽電池的最佳光學減反射膜的折射率 ， 但沒有表面鈍化作用 ［ 1 - 2 ］ ; SiN 薄膜的折射率為 210～212， 透明波段中心與太陽光的可見光光譜波段 （ 550 nm） 吻合 ， 且具有表面和體鈍化的作用 ［ 3 ］ ， 此外 ， SiN還有介電常數(shù)高、堿離子阻擋能力強、質(zhì)硬耐磨等優(yōu)點 ， 是太陽電池比較理想的減反射及鈍化膜。制備 SiN薄膜的方法主要是化學氣相沉積 ， 又分為常壓化學氣相沉積 （APCVD， 反應壓強為 1 bar， 溫度為 700 ～1 000℃） ， 低壓化學氣相沉積 （LPCVD， 反應壓強為 011 mbar， 溫度為 750℃） ， 等離子增強化學氣相沉積 （PECVD， 反應壓強 1 mbar， 溫度 500℃）。由于 PECVD 的沉積溫度低 ， 對硅太陽電池中的少子壽命影響較小 ［ 2 ］ ［ 4 ］ ， 生產(chǎn)能耗低等 ， 因此在太陽電池減反射膜的制備方面有很大的優(yōu)勢 ， 得到了很廣泛的應用射頻頻率和功率射頻頻率的高低直接影響等離子體的頻率和能量 ， 當時頻頻率低于 4 MHz時 ， 離子的頻率能跟上射頻激發(fā)頻率 ， 離子在電場的作用下具有較大的能量 ， 從而對襯底表面造成較大的轟擊損傷 ， 而且其表面鈍化在紫外線照射下不穩(wěn)定 ; 在頻率高于 4 MHz時 ， 由于離子的加速時間短 ， 不至于獲得很大的能量 ， 不會對襯底表面造成大的轟擊損傷 ［ 2 ］。通常用直接 PECVD 沉積 SiN 薄膜時都用 13156 MHz的高頻率 ， 制備的薄膜有很好的鈍化效果 ， 并且具有很好的抗紫外性能 ［ 12 ］。 G. Santana 等人 研究 發(fā) 現(xiàn) ， 用 二 氯 甲 硅 烷 （SiCl2 H2 ） 和氨氣沉積 SiN 薄膜 ， 射頻功率在 30 W 時 ， NH3 /Sicl2 H2 的比例從 10減小到 215的過程中 ， Si- H鍵依然可以形成 ， 而 N - H鍵濃度卻在降低 ， 當比例降到 1時 ， N - H鍵濃度、折射系數(shù)和沉積速率都增加。而射頻功率大于 60 W 時 ， Si - H鍵、N - H 鍵都隨能量的增加而減少 ［ 13 ］。因此用此方法制備 SiN薄膜時 ， 射頻功率最好在 30到 60W 之間。用硅烷 （SiH4 ） 的氨氣制備 SiN 薄膜時 ， 射頻功率因設備而異 ， 在 30 W 到 315 kW 的范 圍 都 有 應 用 ， 并 都 能 制 備 高 質(zhì) 量 的 薄膜 ［ 7 ］ ［ 9 ］ ［ 14 - 16 ］ ， 但總的來說 ， 射頻的功率不宜過低 ， 太低影響反應氣體的充分分解 ， 過高又會對襯底和薄膜表面造成轟擊損傷 ， 影響薄膜的質(zhì)