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簡單的MOSFET晶體管逆變器驅(qū)動增益引腳時，有必要改變放大器的增益或從外部源靜音。MOSFET的建議，因為它消耗更少功率。該電路如圖1所示。結(jié)型晶體管（BJT）的偏置可以考慮；然而，必須注意，因為集電極電流與基極電流的比率可以產(chǎn)生問題。這可能由于集電極電阻值必須保持在100K的范圍，過度電流不從電壓參考里面的tpa310xdx家庭繪制。
MOSFET的漏極（nfet1）是通過一臺100kW電阻（R2）為VREG和結(jié)在排水和100kW電阻連接到GAIN1引腳，例如。100kW電阻（R1）也連接到MOSFET的柵極限制事件的誤差電流條件應(yīng)該出現(xiàn)。門電阻的另一端連接到外部設(shè)備（即：微控制器）。
該電路提供邏輯逆；因此，設(shè)置GAIN1為邏輯高，邏輯低電平必須應(yīng)用R1。
由于該電路供電VREG，它將關(guān)閉VREG和消除問題。
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