1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵（GaN）技術進行高功率開關組件（Switching Device）的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(shù)（Power Integrity - Measuring， Optimizing， and Troubleshooting Power Related Parameters in Electronic Systems）”一書的作者Steve Sandler，他提出與測量這些設備的皮秒邊沿（Picosecond Edge）速度相關聯(lián)（可參看他文章索引的部分）。

　　由于這些新電源開關的快速開關速度與相關更高效率，因此我們希望看到他們能適用于開關模式電源和射頻（RF）功率放大器。他們可廣泛取代現(xiàn)有的金屬氧化物半導體場效晶體管（MOSFET）， 且具有較低的“On”電阻、更小的寄生電容、更小的尺寸與更快的速度。我已注意到采用這些裝置的新產(chǎn)品，其他應用包括電信直流對直流（DC-DC）、無線 電源（Wireless Power）、激光雷達（LiDAR）和D型音頻（Class D Audio）。很顯然，任何半導體組件在幾皮秒內(nèi)切換，很可能會產(chǎn)生大量的電磁干擾（EMI）。為了評估這些GaN組件，Sandler安排我來測試一些評估板。一塊我選擇測試的是Efficient Power Conversion的半橋（Half-bridge ）1MHz DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器EPC9101（圖1），請參考這塊測試板上的其他信息，以及一些其他的參考部分。