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gan技術(shù)

低壓GaN DC/DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動器電源測量方案

圖1顯示了一個12 V降壓型轉(zhuǎn)換器，它基于LTC7891同步控制器，用于驅(qū)動100 V GaN FET。以500 kHz頻率運(yùn)行時，在20 A負(fù)載和48...

2026-04-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 GaN 3.4k 0

PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達(dá)800VDC架構(gòu)

Power Integrations公司的PowiGaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)了1250V和1700V GaN開關(guān)器件，使設(shè)計人員能夠構(gòu)建高密度、高效率的電源。

2026-03-17 標(biāo)簽：電源設(shè)計 PI GaN 1.6k 0

700V/1.6A單通道增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動控制器參數(shù)與使用極限

概述： PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化鎵（GaN）功率場效應(yīng)晶體管（FET），集成了單通道低端驅(qū)動器，專為高速應(yīng)用中的氮化鎵高電子遷移...

2026-03-11 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管 GaN 190 0

PI GaN產(chǎn)品InnoSwitch3-EP助力簡化工業(yè)輔助電源設(shè)計

隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，GaN正從消費(fèi)電子PD快充領(lǐng)域向更廣闊的工業(yè)、汽車、通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域滲透，憑借其高頻、高效、高功率密度的核心優(yōu)勢...

2026-03-09 標(biāo)簽：安富利 GaN 輔助電源 3.3k 0

650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評估板

云鎵半導(dǎo)體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應(yīng)用1.MBDS器件介紹云鎵半導(dǎo)體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...

2026-02-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 GaN 評估板 579 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵 GaN 6.7k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開關(guān)頻率（一）芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 芯導(dǎo)科技 5.4k 0

橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效...

2025-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 GaN 4k 0

氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比：300W快充應(yīng)用選型避坑手冊

在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...

2025-12-24 標(biāo)簽：驅(qū)動IC GaN SiC MOSFET 1.4k 0

借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...

2025-12-11 標(biāo)簽：GaN 光伏逆變器太陽能系統(tǒng) 4.7k 0

gan帖子

雙向氮化鎵應(yīng)用場景PFC部分云鎵云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評估板

標(biāo)簽：PFC 氮化鎵 GaN 9072 0

《電子發(fā)燒友電子設(shè)計周報》聚焦硬科技領(lǐng)域核心價值第14期：2025.06.2--2025.06.6

標(biāo)簽：GaN Qorvo 5G-A 1999 0

STDRIVEG600驅(qū)動GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流跌落的原因？

標(biāo)簽：逆變器 GaN 8649 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計和損耗分析

標(biāo)簽：GaN LLC 1775 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計

標(biāo)簽：適配器 GaN 754 0

ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案

標(biāo)簽：GaN 快速充電器 837 0

STDRIVEG600 GaN半橋驅(qū)動器

標(biāo)簽：GaN 半橋驅(qū)動器 1004 0

電機(jī)控制和電源管理的基準(zhǔn)效率

標(biāo)簽：GaN 2059 0

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢

標(biāo)簽：GaN 2451 0

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 2035 0

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GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 618 0

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 646 0

GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-12 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 522 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 302 0

變速電機(jī)驅(qū)動器受益于集成GaN立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：驅(qū)動器 GaN 變速電機(jī) 328 0

新一代GaN器件,滿足AI服務(wù)器電源需求立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：服務(wù)器 AI GaN 567 0

用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動高頻 GaN 455 0

電動汽車的SiC演變和GaN革命立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：電動汽車 SiC GaN 419 1

利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載

類別：電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動 GaN 270 0

GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaN AHB 1.2k 0

gan資訊

光谷芯材與昌龍智芯聯(lián)合發(fā)布化合物半導(dǎo)體新品，填補(bǔ)國內(nèi)高壓功率器件空白

近日，在2026年九峰山論壇期間，光谷芯材聯(lián)合（武漢）科技有限公司與北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合發(fā)布兩款化合物半導(dǎo)體新品——RF及Power GaN外...

2026-04-29 標(biāo)簽：功率器件 GaN 功率半導(dǎo)體 650 0

深度解析CXAC85308：一顆內(nèi)置GaN、無需輔助繞組的33W快充反激芯片如何重塑設(shè)計流程

推出的 CXAC85308 正是為解決這些痛點(diǎn)而設(shè)計的。它將700V GaN功率管、高壓自供電電路及VCC電容全部集成在內(nèi)部，直接從高壓直流母線取電，徹...

2026-04-24 標(biāo)簽：GaN Vcc 快充 407 0

讓快充更高效：集成GaN的APFC反激控制器如何提升功率密度與能效

隨著USB?PD快充和可編程電源適配器的普及，消費(fèi)者對充電器的要求越來越高：不僅要有65W、100W甚至更高功率，還要體積小巧、發(fā)熱低、兼容全球電網(wǎng)。傳...

2026-04-24 標(biāo)簽：充電器 GaN 反激控制器 274 0

意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動洗衣機(jī)實(shí)現(xiàn)更高效率與可持續(xù)性

在實(shí)現(xiàn)家用電器可持續(xù)性的進(jìn)程中，制造商首要關(guān)注的重點(diǎn)，是如何集成先進(jìn)電力技術(shù)、智能控制算法，以及高效電機(jī)控制和器件。

2026-04-21 標(biāo)簽：電機(jī)控制意法半導(dǎo)體洗衣機(jī) 4.7k 0

從消費(fèi)電子到AI電網(wǎng)：兩家巨頭財報，GaN 賽道徹底分化

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道最近英諾賽科和納微都公布了2025年全年財報，作為GaN領(lǐng)域最具代表性的兩家上市公司（transphorm被瑞薩收購后已退市），過...

2026-04-20 標(biāo)簽：GaN 英諾賽科 Navitas 4.9k 0

GaN應(yīng)用場景持續(xù)拓展，車規(guī)產(chǎn)品加速上車

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）隨著中高壓電力電子系統(tǒng)在近五年的快速發(fā)展，對功率密度、轉(zhuǎn)換效率的要求不斷提高，SiC在汽車、工業(yè)等各種中高壓場景已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對...

2026-04-20 標(biāo)簽：FET GaN 車規(guī)電容 6.3k 0

基于SiC MOSFET高頻LLC變換器的平面變壓器繞組交錯與寄生參數(shù)精細(xì)化優(yōu)化

在當(dāng)今以數(shù)據(jù)中心、電動汽車車載充電器（On-Board Charger, OBC）、可再生能源逆變器以及航空航天電氣化為代表的尖端電力電子領(lǐng)域中，系統(tǒng)對...

2026-04-10 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET GaN 169 0

韓系大廠功率GaN代工進(jìn)入量產(chǎn)階段，F(xiàn)abless要崛起？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日業(yè)界傳出三星電子功率GaN晶圓代工產(chǎn)線即將投產(chǎn)，其8英寸GaN產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)前準(zhǔn)備階段，預(yù)計最早將在今年第二季度實(shí)現(xiàn)全...

2026-03-25 標(biāo)簽：晶圓代工 GaN 三星 8.6k 0

瑞薩電子推出首款650V雙向GaN開關(guān)，標(biāo)志著功率轉(zhuǎn)換設(shè)計規(guī)范的重大變革

首款具備直流阻斷功能的雙向GaN技術(shù)，可大幅減少功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)所需的開關(guān)數(shù)量兼容標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器支持軟切換與硬切換模式，實(shí)現(xiàn)快速、干凈的過渡全球半...

2026-03-23 標(biāo)簽：GaN 瑞薩電子 403 0

瑞薩電子推出全新GaN充電方案，為廣泛的工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)電子設(shè)備帶來500W強(qiáng)勁功率

基于GaN的HWLLC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，為下一代計算設(shè)備、電動工具及電動自行車樹立功率密度與峰值效率新標(biāo)桿全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：67...

2026-03-23 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)GaN 瑞薩電子 219 0

gan數(shù)據(jù)手冊

型號	描述	數(shù)據(jù)手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗(yàn)。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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