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發(fā)視頻瑞斯特RSTD2080-RST 20V/80A 超低內(nèi)阻MOSFET技術(shù)解析
2026-05-08 |
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資料介紹
在追求極致能效與小型化的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗與熱管理始終是制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。瑞斯特（RSTTEK）針對大電流應(yīng)用場景推出的RSTD2080-RST型N溝道功率MOSFET，憑借其TO-252-2（DPAK）封裝、20V耐壓、高達(dá)80A的持續(xù)漏極電流以及僅4.5mΩ的超低導(dǎo)通內(nèi)阻（RDS(ON)），成功在低壓大電流領(lǐng)域樹立了全新的性能標(biāo)桿，為高功率密度應(yīng)用提供了極具競爭力的解決方案。
MOSFET
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