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毫米波長范圍（30-300GHz）內(nèi)除了其較低端外，還沒有很好地被利用。而在成像，安全，醫(yī)療，和短距離無線傳輸以及數(shù)據(jù)速率不斷提高的光纖傳輸中的新應(yīng)用可能會(huì)迅速地改變這種狀態(tài)［1］，［2］。在過去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用于100-GHz 和100-Gb/s 應(yīng)用的半導(dǎo)體有源器件進(jìn)行了綜述。隨后介紹了使用最廣泛的技術(shù)，接著是兩個(gè)不同方面具有競爭性的技術(shù)現(xiàn)狀：分頻器，來說明該技術(shù)適宜用在高速數(shù)字電路中，以及振蕩器，用來說明其在模擬電路應(yīng)用中的性能。
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