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十多年前，半導體設計與應用工程師在有了可行 CMOS 硅芯片時高興得相互擊掌慶祝，因為它可在 80% 的良率下實現(xiàn) 100uV 以下的放大器輸入失調(diào)電壓。當時，Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工業(yè)領域巨頭都考慮將 CMOS 放大器作為較低成本的平臺，但它們很少將其用于實現(xiàn)高性能。
盡管雙極性技術依然盛行，但新型 CMOS 放大器正在以先進的設計技巧、高級的微調(diào)方法以及提高的良率逐漸打破工藝局限性。
以往，雙極性器件在需要高精度的應用領域一直處于工程師的“首選”項。這些器件可實現(xiàn)低于 1uV/oC 的失調(diào)漂移，而 CMOS 的輸入級則提供高達 5uV/oC 的失調(diào)漂移。
在 CMOS 輸入運算放大器中實現(xiàn)極低失調(diào)的挑戰(zhàn)在于閥值電壓之間的差異（輸入差分對）以及柵…
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