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艾賽斯IGBT管IXYB82N120C3H1參數(shù)： 型號(hào)：IXYB82N120C3H1 漏極-源極電壓（VCES）：1200V 連續(xù)漏電流（IC）：82A 功耗（PC）：1040W 工作結(jié)溫度（TJ）：-55 to +150℃ 零柵極電壓漏極電流（ICES）：50uA 輸入電容（CISS）：4060pF 二極管正向電壓（VSD）：2.7V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：420ns
IGBT
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