隨著人們對(duì)汽車應(yīng)用中功能更豐富的信息娛樂(lè)和 ADAS 子系統(tǒng)的需求不斷增加，電子控制單元的復(fù)雜性逐年增 加。在汽車反向電池保護(hù)設(shè)計(jì)中，選擇可驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET（而不是傳統(tǒng) P 溝道 MOSFET）的理想二極管控 制器，可實(shí)現(xiàn)更高的熱效率、更小的設(shè)計(jì)尺寸，以及在 ISO7637-2、ISO16750-2 等汽車標(biāo)準(zhǔn)定義的各種汽車瞬態(tài) 下具有穩(wěn)健性能等優(yōu)勢(shì)。 通過(guò)控制背對(duì)背連接的 N 溝道 MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)浪涌電流限制、過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)等附加功能，從而提供完整的 電源路徑保護(hù)。理想二極管還具有低功耗關(guān)斷模式，允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在汽車系統(tǒng)處于睡眠模式（當(dāng)車輛熄火或 停車時(shí)）時(shí)關(guān)閉控制器，以滿足低靜態(tài)電流預(yù)算要求。但是，即使在車輛熄火時(shí)，也必須為一些常開負(fù)載供電。 此類負(fù)載的示例包括，監(jiān)測(cè)和監(jiān)控器微控制器以及周圍的電源管理元件（例如低壓降穩(wěn)壓器、直流/直流轉(zhuǎn)換器和 存儲(chǔ)器器件）。 這主要有助于在系統(tǒng)處于睡眠模式時(shí)監(jiān)測(cè)關(guān)鍵系統(tǒng)參數(shù)，并在系統(tǒng)從低功耗睡眠模式轉(zhuǎn)換到工作模式時(shí)加快系統(tǒng) 喚醒速度。本應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)重點(diǎn)介紹了 LM74912-Q1 睡眠模式特性，該特性通過(guò)過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)等系統(tǒng)級(jí)保護(hù)為常開 負(fù)載供電，有助于保持 5μA 的超低靜態(tài)電流消耗。