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與 MOSFET 相比，GaN FET 在開(kāi)關(guān)特性方面具有許多優(yōu)勢(shì)。但是，GaN FET 也面臨一些獨(dú)特的挑戰(zhàn)，必須解決 這些挑戰(zhàn)才能實(shí)現(xiàn)卓越性能。其中一個(gè)挑戰(zhàn)是半橋拓?fù)渲械淖耘e過(guò)充。 電路設(shè)計(jì)人員使用多種方法來(lái)解決自舉過(guò)充問(wèn)題。本文檔比較了這些自舉過(guò)充預(yù)防方法，包括集成在半橋 GaN 驅(qū) 動(dòng)器（例如 LMG1205、LM5113-Q1 和 LMG1210）中的方法。
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