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碳化硅 (SiC) MOSFET 已成為硅 (Si) IGBT 的潛在替代 產(chǎn)品，適用于光伏逆變器、車載和非車載電池充電器、 牽引逆變器等各種應(yīng)用。與 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更嚴(yán)格的短路保護(hù)要求。為了充分利用 SiC MOSFET 并確保系統(tǒng)穩(wěn)健運(yùn)行，需要快速可靠的 短路保護(hù)電路。本文檔將討論 SiC MOSFET 和 Si IGBT 的不同特性，說明并比較三種短路保護(hù)方法，以 及總結(jié) SiC MOSFET 的短路保護(hù)要求。TI 的 UCC217xx 系列是適用于 IGBT 和 SiC 且具有高級保 護(hù)功能的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，可用于各種系統(tǒng)設(shè) 計，以保護(hù)開關(guān)免受各種類型的過流和短路故障的影 響。出色的快速保護(hù)和高抗噪性可提高系統(tǒng)設(shè)計的多功 能性和系統(tǒng)的穩(wěn)健性。
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