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在高功率密度應(yīng)用中，氮化鎵(GaN)fet為設(shè)計(jì)人員提供了一種可行的硅MOSFETs替代品。這是因?yàn)樗鼈儽裙栌酗@著的優(yōu)勢，包括小結(jié)電容、沒有體二極管和沒有反向恢復(fù)損耗。這些優(yōu)勢支持更高效、更緊湊的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，由更高的開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。現(xiàn)在，主要的商用GaN FETs是橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)。在結(jié)構(gòu)中沒有p-n摻雜漂移區(qū)的情況下，GaN在第三象限操作中表現(xiàn)出獨(dú)特的特性。本應(yīng)用報(bào)告基于對GaN橫向結(jié)構(gòu)的研究，詳細(xì)解釋了GaN在反向電流傳導(dǎo)中的類二極管行為。當(dāng)GaN用作整流器時(shí)，自然會(huì)出現(xiàn)第三象限運(yùn)行。本應(yīng)用報(bào)告還展示了如何利用短死區(qū)時(shí)間或自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制來最大限度地降低用作整流器的GaN FETs的第三象限損耗。
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