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復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲器的電路模擬
摘要:本文采用準(zhǔn)經(jīng)典近似的Monte Carlo 方法對復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲器的等效單電子電路進(jìn)行了模擬. 研究結(jié)果表明,由于臺階狀的復(fù)合隧穿勢壘的作用,存儲器的存儲時(shí)間特性可得到極大提高. 我們進(jìn)一步研究了N 溝道鍺/ 硅復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲器的時(shí)間特性,得到其存儲時(shí)間可長達(dá)數(shù)年,同時(shí)寫擦?xí)r間可分別為μs 和ns 量級,從而這種新型的器件結(jié)構(gòu)可以有效解決快速編程和長久存儲間的矛盾.
關(guān)鍵詞:復(fù)合量子點(diǎn); 單電子存儲器; 電路模擬
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