資料介紹
你想知道精密的IC 芯片是如何從粗糙的硅礦石中誕生的嗎?本節(jié)將為您揭開IC 制造的神秘面紗。你知道嗎?制造一塊IC 芯片通常需要400 到500 道工序。但是概括起來說,它一般分為兩大部分:前道工序(front-end production)和后道工序(back-end production)。
[1] 前道工序
該過程包括:
(1) 將粗糙的硅礦石轉(zhuǎn)變成高純度的單晶硅。
(2) 在wafer 上制造各種IC 元件。
(3) 測(cè)試wafer 上的IC 芯片
[2] 后道工序
該過程包括:
(1) 對(duì)wafer 劃片(進(jìn)行切割)
(2) 對(duì)IC 芯片進(jìn)行封裝和測(cè)試
在制造過程中有數(shù)道測(cè)試步驟。其中,在前道工序中對(duì)IC 進(jìn)行的測(cè)試,我們把它叫做wafer 測(cè)試。在后道工序過程中對(duì)封裝后的IC 芯片進(jìn)行的測(cè)試,我們稱之為封裝測(cè)試。在有些情況下,wafer 測(cè)試也被放在后道工序中,但在本文里,我們把wafer 測(cè)試歸為前道測(cè)試。
[1] 前道工序
該過程包括:
(1) 將粗糙的硅礦石轉(zhuǎn)變成高純度的單晶硅。
(2) 在wafer 上制造各種IC 元件。
(3) 測(cè)試wafer 上的IC 芯片
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(1) 對(duì)wafer 劃片(進(jìn)行切割)
(2) 對(duì)IC 芯片進(jìn)行封裝和測(cè)試
在制造過程中有數(shù)道測(cè)試步驟。其中,在前道工序中對(duì)IC 進(jìn)行的測(cè)試,我們把它叫做wafer 測(cè)試。在后道工序過程中對(duì)封裝后的IC 芯片進(jìn)行的測(cè)試,我們稱之為封裝測(cè)試。在有些情況下,wafer 測(cè)試也被放在后道工序中,但在本文里,我們把wafer 測(cè)試歸為前道測(cè)試。
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