SiC應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

　　?在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中可以簡(jiǎn)化散熱系統(tǒng)，降低熱預(yù)算，同時(shí)減小電容電感體積，從而降低系統(tǒng)綜合成本。

　　?在電動(dòng)汽車中采用SiC器件，續(xù)航里程相比采用硅基功率器件的車型提升5%-10%。

　　SiC 的耐高壓能力是硅的 10倍、耐高溫能力是硅 的 2倍、高頻能力是硅的 2倍。

　　與硅基模塊相比，碳化硅二極管及開(kāi)關(guān)管組成的模 塊（全碳模塊），不僅具有碳化硅材料本征特性優(yōu) 勢(shì)，在應(yīng)用時(shí)還可以縮小模塊體積50%以上、消減 電子轉(zhuǎn)換損耗80%以上。

　　碳化硅基 MOSFET 在相同環(huán)境下，對(duì)比同規(guī)格硅基 IGBT 的能量損失減少66%，主要來(lái)自于開(kāi)關(guān)損耗的 大幅減少。相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET 與硅基 MOSFET 相比，其尺寸可大幅減小至原來(lái)的1/10， 導(dǎo)通電阻可至少降低至原來(lái)的 1/100。