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隨著全球經(jīng)濟(jì)逐漸從歐洲成長(zhǎng)緩慢導(dǎo)致的長(zhǎng)期衰退中走出來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正開始迎向美好的發(fā)展前景。然而，從技術(shù)方面來看，全球晶片供應(yīng)商也將面臨可能影響其業(yè)務(wù)模式的種種挑戰(zhàn)。

在未來，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)主要具備以下幾方面特征：半導(dǎo)體照明將側(cè)重于降低成本和向更廣闊的市場(chǎng)拓展；由國(guó)防推動(dòng)的射頻領(lǐng)域應(yīng)用需要更高的功率密度以實(shí)現(xiàn)降低成本；功率應(yīng)用有著最大的增長(zhǎng)潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發(fā)仍需攻關(guān)。

導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光（DP）技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時(shí)在10nm徘徊。除非等到EUV技術(shù)成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢(shì)，即便EUV成功也頂多還有兩個(gè)臺(tái)階可上，即7nm或者5nm。因?yàn)榘蠢碚摐y(cè)算，在5nm時(shí)可能器件已達(dá)到物理極限。

日本近期傳出日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成立功率元件促進(jìn)協(xié)會(huì)（Power Device Enabling Association，PDEA），主要的原因在于，日本在功率元件的技術(shù)發(fā)展，約略落后全球的平均水平，故成立該協(xié)會(huì)希望能迎頭趕上，同時(shí)也能在各類重工業(yè)或是大功率等相關(guān)應(yīng)用中，發(fā)展完整的生態(tài)系統(tǒng)以取得領(lǐng)導(dǎo)地位。

　由于技術(shù)上仍存在挑戰(zhàn)，使得3D IC一直都成為半導(dǎo)體業(yè)界想發(fā)展，卻遲遲到不了的禁區(qū)。盡管如此，國(guó)際半導(dǎo)體材料協(xié)會(huì)SEMI仍樂觀認(rèn)為，系統(tǒng)化的半導(dǎo)體技術(shù)仍將是主流趨勢(shì)，這意味著 3D IC的發(fā)展將不會(huì)停下腳步。但在3D IC技術(shù)仍未成熟的現(xiàn)階段，2.5D IC是最好的替代方案。

2013年7月18日，深圳－2013中國(guó)電子分銷商領(lǐng)袖峰會(huì)將于2013年8月28日在西安高新區(qū)志誠(chéng)麗柏酒店會(huì)議室召開。

據(jù)美國(guó)每日科學(xué)網(wǎng)站報(bào)道，美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時(shí)代。

本文以筆記本電腦為范例，拿其中的核心零部件作枚舉，說明中國(guó)大陸的電子產(chǎn)業(yè)除了比較低端的零部件外，涉及核心的部件一片空白，說明中國(guó)當(dāng)前的電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展窘境。

歐盟宣布將增加4條先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)計(jì)劃，包括發(fā)光二極管和450mm晶圓等。此前，歐盟宣布建設(shè)全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）試生產(chǎn)線。該五條芯片試生產(chǎn)線項(xiàng)目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略”的一部分，共涉及來自20個(gè)國(guó)家的128個(gè)公司，總投資將超過7億歐元，包括歐盟各成員國(guó)和工業(yè)界的投資，其中歐盟將出資1億歐元。

半導(dǎo)體科技將自動(dòng)化與智能化帶入了工業(yè)生產(chǎn)在線，讓工業(yè)生產(chǎn)的速度與效率大幅提升。盡管因此搶走不少勞工的飯碗令人詬病，然而邁向更先進(jìn)的自動(dòng)化產(chǎn)線，甚至是更高一層的無人工廠愿景，卻依然是所有工廠企業(yè)主汲汲營(yíng)營(yíng)追求的目標(biāo)。