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2024年6月20日下午，浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)四屆三次會(huì)員大會(huì)在湖州南潯舉行。芯啟源與省內(nèi)外專家學(xué)者、省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主要負(fù)責(zé)人、半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)企業(yè)等200余人共同參會(huì)，并憑借高速的市場(chǎng)增長(zhǎng)、雄厚的科技實(shí)力和前瞻性的市場(chǎng)洞察榮獲“最具市場(chǎng)潛力中小企業(yè)獎(jiǎng)”。

加速寬禁帶產(chǎn)品供應(yīng)并推出15款全新基于GaN的成功產(chǎn)品組合參考設(shè)計(jì) 2024 年 6 月 20 日，日本東京訊 ― 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）今日宣布，已于2024年6月20日完成對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收購(gòu)。隨著收購(gòu)的完成，瑞薩電子將立即開(kāi)始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設(shè)計(jì)，以滿足對(duì)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。 與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN和碳

近日，科技界傳來(lái)了一則引人關(guān)注的消息：圖形處理巨頭英偉達(dá)成功從韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭三星電子“挖角”，吸引了超過(guò)500名半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)秀人才加入其團(tuán)隊(duì)。這一舉動(dòng)不僅凸顯了英偉達(dá)在半導(dǎo)體人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)中的積極姿態(tài)，也反映出全球半導(dǎo)體行業(yè)人才競(jìng)爭(zhēng)的激烈程度。

不僅能為手機(jī)、平板、筆記本電腦提供快速充電，更高功率要求的家用設(shè)備同樣適用！大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于InnoGaN INN700D140C & INN700DA140C 設(shè)計(jì)的300W適配器電源方案，與常規(guī)Si MOS的適配器對(duì)比，功率密度提高8W/in^3，體積減小30%，效率明顯大提升！

據(jù)知情人士透露，全球知名的半導(dǎo)體企業(yè)美光科技正積極布局高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)。該公司不僅在美國(guó)本土建設(shè)了先進(jìn)的高帶寬存儲(chǔ)器測(cè)試生產(chǎn)線，還計(jì)劃擴(kuò)建位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西總部的HBM相關(guān)研發(fā)設(shè)施，包括生產(chǎn)和驗(yàn)證線。

近日，針對(duì)市場(chǎng)上廣泛流傳的臺(tái)積電南京工廠已獲得美國(guó)商務(wù)部“無(wú)限期豁免授權(quán)”的傳聞，臺(tái)積電官方正式作出回應(yīng)。據(jù)臺(tái)積電方面透露，美國(guó)商務(wù)部已核發(fā)“經(jīng)認(rèn)證終端用戶”（VEU）授權(quán)予臺(tái)積電（南京）有限公司，這一正式授權(quán)取代了自2022年10月以來(lái)商務(wù)部所核發(fā)的臨時(shí)書面授權(quán)。

近日，美國(guó)芯片制造巨頭安森美公司宣布了一項(xiàng)重大投資決策，計(jì)劃在捷克共和國(guó)投資至多20億美元，以擴(kuò)大其半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。此舉不僅將增強(qiáng)安森美在歐洲市場(chǎng)的地位，更是該公司響應(yīng)歐盟關(guān)鍵需求自給自足戰(zhàn)略的重要步驟。

近日，日本Rapidus公司CEO Atsuyoshi Koike透露，該公司的2nm制程測(cè)試工廠將于2025年4月正式啟動(dòng)。這一里程碑式的進(jìn)展，標(biāo)志著日本在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)振興之路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

在半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)技場(chǎng)上，三星正全力沖刺，準(zhǔn)備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日，三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來(lái)幾年的技術(shù)路線圖，其中包括備受矚目的1.4nm制程工藝、芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)和硅光子技術(shù)。

在近期的一次媒體交流中，英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王銳就公司未來(lái)的發(fā)展策略和市場(chǎng)布局進(jìn)行了深入闡述。他明確指出，英特爾需要做出兩項(xiàng)重要改變，以在四年內(nèi)實(shí)現(xiàn)IDM 2.0轉(zhuǎn)型和5nm量產(chǎn)的宏偉目標(biāo)。