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2024年，為提升國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)在全球范圍的影響力，促進(jìn)和記錄國(guó)內(nèi)芯片的技術(shù)、市場(chǎng)應(yīng)用進(jìn)程，特別策劃射頻芯片產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)行調(diào)研。1移動(dòng)智能終端設(shè)備領(lǐng)域移動(dòng)智能終端包括智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等，因智能手機(jī)具有在無(wú)線環(huán)境下復(fù)雜的通信應(yīng)用功…

在半導(dǎo)體行業(yè)中，“die”，“device”，和“chip”這三個(gè)術(shù)語(yǔ)都可以用來(lái)指代芯片。

雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過(guò)一定的臨界值時(shí)，會(huì)突然有大量電流流過(guò)原本應(yīng)當(dāng)阻止電流流動(dòng)的PN結(jié)。這種不受控制的電流流動(dòng)會(huì)導(dǎo)致器件損壞，除非通過(guò)外部電路限制電流。 當(dāng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的漏源電壓超過(guò)其絕對(duì)最大額定值BVDSS時(shí)，器件將發(fā)生擊穿。在高電場(chǎng)作用下，自由電子獲得加速并攜帶足夠能量，引發(fā)碰撞

雙脈沖測(cè)試（Double Pulse Test， DPT）是一種測(cè)試方法，常用于評(píng)估和分析電力系統(tǒng)、電子設(shè)備、組件以及半導(dǎo)體器件的電氣特性。這種測(cè)試通過(guò)施加兩個(gè)連續(xù)的電壓或電流脈沖到被測(cè)設(shè)備（DUT），并測(cè)量其響應(yīng)來(lái)工作。 雙脈沖測(cè)試是一種專門用于評(píng)估功率開(kāi)關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開(kāi)關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測(cè)試方法。這種測(cè)試特別適用于分析在導(dǎo)通過(guò)程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過(guò)施加兩連

肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管，而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性，使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD（硅肖特基勢(shì)壘二極管）不是基于傳統(tǒng)的PN結(jié)，而是利用硅與稱為勢(shì)壘金屬的金屬之間的接合產(chǎn)生的肖特基勢(shì)壘。這種特殊的結(jié)構(gòu)使得Si-SBD的特性受到勢(shì)壘金屬種類的影響。不同的勢(shì)壘金屬會(huì)導(dǎo)致Si-SBD的性能有所差異，因此它們?cè)诓煌膽?yīng)用中具有不同的適用性。下表總結(jié)了

Si二極管，即硅二極管，是利用硅半導(dǎo)體材料制成的二極管，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。根據(jù)不同的功能和用途，Si二極管可以分為以下幾類： 整流二極管主要用于將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）。 這類二極管還可以進(jìn)一步細(xì)分為： 一般通用整流用：適用于普通整流需求。 高速整流用：以開(kāi)關(guān)為前提，用于需要快速響應(yīng)的整流場(chǎng)景。 快速恢復(fù)型：用于超高速整流，具有更快的恢復(fù)時(shí)間。 肖特基勢(shì)壘二極管：具有高速性和低正向壓降（VF）的特點(diǎn)。

俗話說(shuō)“差之毫厘，謬以千里”，在當(dāng)下精密工業(yè)領(lǐng)域，儀表測(cè)量的精確性直接影響生產(chǎn)過(guò)程中的自動(dòng)化控制水平及設(shè)備工作的安全可靠性。電壓，作為電力系統(tǒng)中的基本參數(shù)之一，如何借助小尺寸且易于系統(tǒng)集成的高可靠性單元實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量，成為眾多領(lǐng)域客戶提出的創(chuàng)新性需求。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)提供商，ADI開(kāi)創(chuàng)性推出了新型六位半數(shù)字電壓測(cè)量模塊，大大降低了實(shí)現(xiàn)精確電壓測(cè)量的門檻。

電容電壓（C-V）測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù)，被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V（或QSCV）測(cè)量，因?yàn)樗鼈兪窃诜浅５偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的，即幾乎是直流的。

NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫,意思是負(fù)的溫度系數(shù),泛指負(fù)溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件，通常我們提到的NTC是指負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，簡(jiǎn)稱NTC熱敏電阻。

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。