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做ATE測(cè)試的同學(xué)應(yīng)該都有過(guò)這樣的經(jīng)歷，實(shí)驗(yàn)室機(jī)臺(tái)調(diào)試時(shí)，跑完一批測(cè)試，拿到一堆STDF文件，由于是二進(jìn)制文件無(wú)法直接查看。想看某個(gè)測(cè)試項(xiàng)的數(shù)據(jù)分布？想對(duì)比不同批次的良率？想出個(gè)報(bào)告給老板看？對(duì)不起，先找個(gè)能解析STDF的工具吧。找到的要么收費(fèi)，要么功能有限，要么界面像上個(gè)世紀(jì)的產(chǎn)物。所以我自己寫(xiě)了一個(gè)stdf-reader，開(kāi)源免費(fèi)，一行命令安裝，用起來(lái)就

半導(dǎo)體產(chǎn)品中的金屬污染會(huì)對(duì)設(shè)備性能產(chǎn)生不利影響，并影響制造工藝的產(chǎn)量。為了滿(mǎn)足對(duì)晶圓基板更高產(chǎn)量和性能的需求，必須最大限度地減少晶圓表面和基板本身的污染。最常見(jiàn)的金屬污染物是過(guò)渡金屬或堿性元素。過(guò)渡金屬主要通過(guò)半導(dǎo)體材料擴(kuò)散并以各種氧化物形式聚集在表面，通常是納米級(jí)污染物。納米級(jí)污染物無(wú)論是單個(gè)還是聚集的納米顆粒，都可能導(dǎo)致晶圓線(xiàn)之間的損壞或短路。隨著對(duì)更小

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備發(fā)揮著重要作用。由于半導(dǎo)體和集成電路的不斷發(fā)展以及對(duì)電子產(chǎn)品的越發(fā)嚴(yán)刻的要求，測(cè)試設(shè)備必須不斷改進(jìn)。德州儀器 (TI) 提供了各種各樣的精密放大器，它們能為測(cè)試集成電路提供了更準(zhǔn)確的結(jié)果。

半導(dǎo)體最早的可控?fù)诫s方法，是在拉制單晶時(shí)把摻雜元素溶人鍺、硅熔體中，晶體生長(zhǎng)過(guò)程中雜質(zhì)原子與基體原子一起固化。

擴(kuò)散等晶體管制造技術(shù)逐漸走向成熟，為集成電路發(fā)明及其制造工藝發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。本節(jié)將簡(jiǎn)要討論集成芯片制造技術(shù)賴(lài)以快速演變與升級(jí)換代的平面工藝技術(shù)，分析集成芯片不同電路類(lèi)型演進(jìn)創(chuàng)新與制造工藝技術(shù)進(jìn)步的密切關(guān)系。

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDMOS)憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，成為中高壓功率轉(zhuǎn)換的核心器件。與橫向DMOS不同，VDMOS將源漏電流的方向從表面水平流動(dòng)轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪贝┻^(guò)硅片，從根本上解除了耐壓能力與芯片面積的強(qiáng)耦合關(guān)系。

低功耗CMOS集成電路設(shè)計(jì)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研究方向，其發(fā)展脈絡(luò)與行業(yè)需求緊密交織，自20世紀(jì)70年代CMOS技術(shù)初步應(yīng)用以來(lái)，歷經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的演進(jìn)，已從早期的特定場(chǎng)景應(yīng)用拓展為全行業(yè)普適性設(shè)計(jì)理念。

微芯片制造作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心支柱，其工藝復(fù)雜性與技術(shù)精密性持續(xù)突破物理極限，正朝著3納米以下制程、三維集成與綠色制造方向加速演進(jìn)。

機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)可應(yīng)用于高科技精密材料和半導(dǎo)體的視覺(jué)檢測(cè)，這些材料是眾多產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件。iCore的機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)能夠?qū)﹄娐钒逯g不易察覺(jué)的微小凹痕或裂紋進(jìn)行精確測(cè)量。它還提高了檢測(cè)設(shè)備的處理速度，并最大限度地減少了檢測(cè)所需的時(shí)間。在半導(dǎo)體與封裝行業(yè)中，TGV（玻璃通孔）技術(shù)正受到越來(lái)越多的關(guān)注。TGV是一種采用玻璃基板的高密度互連方法，相較于傳統(tǒng)的PCB，可有

雖然1947年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen、W.H.Brattain和W.Shockley等科學(xué)家發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極型晶體管,而且是在鍺襯底上，但場(chǎng)效應(yīng)器件概念的提出比雙極型器件更早,20世紀(jì)20年代J.Lilienfeld就提出用金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來(lái)制作固態(tài)三極管的專(zhuān)利申請(qǐng)。