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在晶體管器件的研發(fā)階段，制造商通常需要對設計原型進行電學特性評估。直流（DC）測試是最常見的方法，但對于許多半導體器件而言，只有脈沖或短時導通（開關）激勵條件下，才能更真實地反映其實際工作行為。

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體器件應用越來越廣泛，成為高壓、大功率應用（如電動汽車、可再生能源并網、工業(yè)驅動等）的核心器件。碳化硅MOSFET憑借低導通電阻、高開關頻率和優(yōu)異的耐高溫性能，能夠顯著減小系統(tǒng)尺寸、重量并提升整體效率。

從技術路徑上看，電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問題的解法。電子束光刻本質上是一種直接寫入技術，利用聚焦電子束在抗蝕劑上逐點曝光，通過電磁控制精確描繪圖形。這種方式不依賴掩模，在設計頻繁迭代的研發(fā)階段非常有優(yōu)勢，尤其適合量子器件、新型材料結構、原型芯片以及掩模制作等場景。

摩擦納米發(fā)電機作為一種環(huán)境機械能收集技術，在材料選擇、結構設計及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調控粗糙度與表面電荷，已成為提升摩擦電輸出的重要手段。目前，激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物材料中取得成效，但在金屬-半導體體系，尤其是半導體表面圖案化方面的研究仍較有限。GaN作為第三代寬禁帶半導體，具備優(yōu)異的化學穩(wěn)定性與高電子遷移率，適用于摩擦電層。

MOS管，全稱?金屬-氧化物-半導體場效應晶體管?（MOSFET），是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導體器件。它屬于電壓控制型器件，輸入阻抗極高（可達1012Ω以上），具有低噪聲、低功耗、易集成等優(yōu)勢，是現代電子電路的核心功率器件。MOS管通過工作原理進行劃分，可以分為增強型MOS管和耗盡型MOS管。以微碩半導體（WINSOK）旗下的MOS管為例

為降低 SOA（半導體光放大器）的增益紋波（詳見上篇文章《【SOA 仿真 5】增益紋波計算》[1]），需在 SOA 的波導腔面上鍍制 AR 增透膜（抗反射膜）。本文主要介紹多層膜的反射率計算核心方法 —— 傳輸矩陣法（TMM），并提供對應的 Python 代碼仿真實現及兩款實用的多層膜計算工具，為 AR 增透膜的設計與優(yōu)化提供技術支撐。

超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統(tǒng)性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。

Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發(fā)光器件的關鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效應，尤其(11-22)取向在實現高銦摻入InGaN量子阱方面優(yōu)勢顯著。然而，半極性薄膜在異質外延中面臨晶體質量差、應力各向異性等挑戰(zhàn)。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣

隨著半導體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導體材料的外延質量至關重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學常數及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領域。本文基于光譜橢偏技術，結合X射線衍射、拉曼光譜等方法，系統(tǒng)研究了c面藍寶石襯底上

在半導體技術邁向“后摩爾時代”的進程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構突破平面縮放限制，成為提升性能與功能密度的核心路徑。