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晶振有源晶振和無源晶振兩種類型，無源晶振（Crystal）是一個晶體通過串并上寄生電容電感參數(shù)后形成的一個無源器件，所以一般稱作無源晶振，本質(zhì)上就是一個諧振器。有源晶振（Oscillator）具有4只引腳，內(nèi)部集成了半導體器件用來溫度和調(diào)整頻率的輸出。 無源晶振：無源晶振是指晶振內(nèi)部不包含有源放大器的晶振。無源晶振的工作原理是通過外部電路驅(qū)動石英晶體產(chǎn)生振蕩信號。無源晶振具有體積小、重量輕、成本低等優(yōu)點，但其輸出功率較小，需

本文將介紹半導體的可靠性測試及標準。除了詳細介紹如何評估和制定相關(guān)標準以外，還將介紹針對半導體封裝預期壽命、半導體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機械可靠性等評估方法。 什么是產(chǎn)品可靠性？ 半導體產(chǎn)品的質(zhì)量取決于其是否可以充分滿足指定的標準及特性；而半導體產(chǎn)品的可靠性，是指在一定時間內(nèi)無故障運行，從而提高客戶滿意度和復購率的能力。以此為前提，失效是指在產(chǎn)品使用過程中發(fā)生的故障，而缺陷是指在產(chǎn)品制造或檢

? 在當今科技飛速發(fā)展的時代，我們常常聽到關(guān)于半導體、集成電路和芯片的詞匯。它們似乎是科技世界的魔法，推動著各行各業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展。那大家是否知道它們的區(qū)別和功能呢？ 今天帶大家一起來了解一下~ ? 1.半導體、集成電路、芯片三者的區(qū)別 半導體、集成電路和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的核心概念，它們在電子設(shè)備的制造和功能實現(xiàn)上起著重要作用。 半導體 半導體是一種材料，具有介于導體和絕緣體之間特性的物質(zhì)。常見的半導體

勢壘電容（Barrier Capacitance）的大小直接影響了半導體器件的電學性能和可靠性。 勢壘電容CB是由勢壘區(qū)中的電荷量QB和勢壘區(qū)的寬度W決定的。勢壘區(qū)是指PN結(jié)或金屬-半導體接觸處，由于內(nèi)建電場的作用，電子和空穴被限制在兩個區(qū)域之間形成的一個耗盡層。勢壘區(qū)的寬度W是指勢壘區(qū)在垂直于電流方向上的長度。 勢壘電容的大小可以理論的計算一下： 當外加電壓有△U 的變化時，電荷有△Q 的變化，假設(shè)兩邊的距離為 Xd 時。勢壘電容為： 勢壘電容CB的大

當對二極管施加正向電壓時，電子和空穴會不斷擴散并存儲大量電荷，從而導致反向恢復過程的存在。 在施加正向電壓時，P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散。這使得勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，并在P區(qū)和N區(qū)內(nèi)存儲了相當數(shù)量的電荷。P區(qū)內(nèi)存儲了電子，而N區(qū)內(nèi)存儲了空穴。這些存儲的電荷是非平衡少數(shù)載流子，如下圖所示。 產(chǎn)生反向恢復過程的原因有： 勢壘和內(nèi)建電場的作用：在二極管中，PN結(jié)的兩側(cè)存在勢壘和內(nèi)建電場。當正向電壓作用于二極

二極管是一種常用的半導體電子元件，具有單向?qū)щ娦?。當正向電壓作用于二極管時，二極管導通；當反向電壓作用于二極管時，二極管截止。在從導通狀態(tài)切換到截止狀態(tài)或從截止狀態(tài)切換到導通狀態(tài)的過程中，會發(fā)生反向恢復過程。 反向恢復過程是指當二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，電流不能立即停止流動，而是經(jīng)過一個反向電流的過程。這個過程通常包括兩個階段：反向恢復時間和存儲時間。 反向恢復時間（Recovery Time）：反

過去，導致系統(tǒng)故障的主要原因是關(guān)鍵元器件過熱。在一些系統(tǒng)的最熱點上，半導體結(jié)溫可能達到 150°C或更高，非常接近其工作極限。

電氣化被普遍認為是 20 世紀最偉大的工程成就，并一直延續(xù)至今。為了減少對不可再生能源的依賴，并減少碳排放對氣候環(huán)境帶來的危害，電氣化正在繼續(xù)發(fā)揮其價值，助力世界轉(zhuǎn)向可再生能源的使用。

高壓放大器應用場景非常廣泛，非常適用于半導體高壓驅(qū)動、TFT產(chǎn)業(yè)高壓驅(qū)動、各種高壓工程等應用；也很適用當作音頻信號產(chǎn)生器或函數(shù)波形產(chǎn)生器的波形放大使用。使用場景廣泛，放大器的輸出接法也多種，對于不同的放大器也有對應的輸出接法及注意事項，本期就為此介紹說明：高壓放大器有三種輸出接法：差分輸出、單端輸出（可接地）、單端輸出（不可接地）差分輸出差分輸出接法如圖1所