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5G通信、人工智能、元宇宙等新技術(shù)的涌現(xiàn)使得光通信行業(yè)快速發(fā)展。光模塊作為光通信設(shè)備中完成光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，與服務(wù)器暴增的算力和數(shù)據(jù)交互直接配套。因此，能夠滿足高速數(shù)據(jù)傳輸、海量數(shù)據(jù)處理等要求的高性能光模塊產(chǎn)品成為數(shù)字化發(fā)展關(guān)鍵基礎(chǔ)。

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長(zhǎng)死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時(shí)，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。

模組，其實(shí)就是把類似和相關(guān)的工序組成一個(gè)集合的概念，這樣就可以分配給相對(duì)的部門去負(fù)責(zé)，他們只做這一部分對(duì)應(yīng)的工作。比如：刻蝕工藝工程師就專門做刻蝕這一部分工作，不要做薄膜的工作。

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院王欣然教授、施毅教授帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。通過(guò)設(shè)計(jì)-工藝協(xié)同優(yōu)化(DTCO)，開(kāi)發(fā)出空氣隔墻晶體管結(jié)構(gòu)，大幅降低寄生電容，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了GHz頻率的二維半導(dǎo)體環(huán)形振蕩器電路，比原有記錄提升200倍，并預(yù)測(cè)了二維半導(dǎo)體應(yīng)用于1nm節(jié)點(diǎn)集成電路的潛力與技術(shù)路徑。

鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)電池，以其具有超過(guò)單結(jié)電池Shockley-Queisser理論極限的超高效率和成本優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。通過(guò)近10年的努力，鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已從最初的13.7%提升至目前的33.7%。然而，疊層器件效率的進(jìn)一步提升需要對(duì)鈣鈦礦頂電池、中間復(fù)合層以及晶硅底電池進(jìn)行更高效的優(yōu)化設(shè)計(jì)。目前，鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池通常采用透明導(dǎo)電金屬氧化物薄膜(ITO)作為中間復(fù)合層，然而ITO在制備過(guò)程中存在濺射損傷等問(wèn)題。因此，開(kāi)發(fā)高效的中間復(fù)合層對(duì)提升鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池的效率和加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程至關(guān)重要。

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過(guò)使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開(kāi)發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所使用的材料。 氮化鎵的提取過(guò)程： 氮化鎵的提取過(guò)程主要包括兩個(gè)步驟：金屬鎵的提取和氮化反應(yīng)。 金屬鎵的提取 金屬鎵是氮化鎵的基本組成元素之一。為了提取金屬鎵，我們通常采用化學(xué)反應(yīng)的方法。常用的方法是將氮化鎵芯片在高

什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為17

淺談局部放電測(cè)量

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化