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溝道有效遷移率 (μeff) 通過(guò)載流子速度和驅(qū)動(dòng)電流影響MOSFET性能。它是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)之一 (CMOS) 技術(shù)。 隨著新型介電材料的出現(xiàn)，傳統(tǒng)的遷移率評(píng)估測(cè)量技術(shù)遇到了下一節(jié)中描述的許多問(wèn)題，導(dǎo)致測(cè)量誤差較大，因此需要一種新的遷移率提取技術(shù)。

云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，如大幅提升的開關(guān)速度和顯著降低的開關(guān)損耗，從而提供更優(yōu)的整體效率，這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶更好得使用云鎵的GaN器件，更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的能力。

PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導(dǎo)體器件的核心結(jié)構(gòu)，其本質(zhì)是 p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體接觸后，在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結(jié)的形成主要通過(guò)兩種方式：一是將獨(dú)立的 p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體直接結(jié)合；二是利用 “雜質(zhì)補(bǔ)償作用”—— 在 p 型半導(dǎo)體局部區(qū)域摻入高濃度五價(jià)雜質(zhì)（如磷），使該區(qū)域轉(zhuǎn)變?yōu)?n 型半導(dǎo)體（形成反型層），或在 n 型半導(dǎo)體局部摻入高濃度三價(jià)雜質(zhì)（如硼），使其轉(zhuǎn)變?yōu)?p 型半導(dǎo)體，兩種方式均可在交界面形成穩(wěn)定的 PN 結(jié)。

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 內(nèi)外行的朋友都知道：半導(dǎo)體制造過(guò)程復(fù)雜，工藝流程頗多，特別是前道的“流片”，更是繁瑣中的繁瑣。本章節(jié)要跟大家分享的就是關(guān)

隨著激光產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，其小尺寸，高光效的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)恒流驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)也帶來(lái)了很大的挑戰(zhàn)。激光光源有LED半導(dǎo)體的恒流特性，但其對(duì)PWMduty的開關(guān)峰值電流又特別的敏感而脆弱；但由于激光占據(jù)了產(chǎn)品的很大比重的成本，因而對(duì)激光的壽命提出了苛刻的要求，而影響激光光源最大的壽命問(wèn)題，大部分是在于PWM調(diào)光過(guò)程中，輸出端產(chǎn)生的浪涌電流無(wú)法正常抑制，浪涌電流超過(guò)了激光要求

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 你知道什么是閃存（Flash Memory）嗎？閃存（Flash Memory）是一種存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體。它被用于智能手機(jī)和我們周圍的許多其他電子設(shè)備。

本文利用簡(jiǎn)化的載流子速率方程，以及二分法迭代，仿真得到了外部注入（電流及輸入光功率）與增益的關(guān)系。

閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導(dǎo)電溝道。有幾種方法可以確定閾值電壓：根據(jù)器件的傳輸特性、漏極電流 (ld) 與柵極電壓 (Vg) 曲線。在測(cè)試碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí)，正向柵極電壓掃描和反向柵極電壓掃描都表現(xiàn)出滯后效應(yīng)。這種效應(yīng)主要是由于陷阱引起的，并導(dǎo)致閾值電壓的偏移。這種閾值電壓的差異會(huì)影響一些器件參數(shù)，如漏電流和導(dǎo)通電阻。

3D Stacked Memory是“技術(shù)方法”，而HBM是“用這種方法解決特定問(wèn)題的產(chǎn)品”。

玻璃回流（reflow）技術(shù)是通過(guò)升溫加熱雜氧化硅，使其產(chǎn)生流動(dòng)特性的工藝，常見(jiàn)的回流處理對(duì)象包含硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate glass, BPSG）與磷硅玻璃（phospho-silicate glass, PSG）兩類材料。