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在充電市場中，PD電源以其產(chǎn)品的特點優(yōu)勢正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營銷份額，尤其是在手機端跟電腦端更為明顯。對于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢？

微電子封裝自動切筋系統(tǒng)和模具有著專用性強、定制化程度高的特點。系統(tǒng)和模具的結(jié)構(gòu)設計、流程設計、制造工藝、產(chǎn)線管理的體系完善是確保切筋系統(tǒng)和模具穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。本文針對封裝后道自動切筋系統(tǒng)和模具的設計要點、制造工藝及應用特點進行分析和探討。

介紹了封裝鍵合過程中應用的銀合金鍵合線與鋁墊之間形成的共金化合物（IMC），提出了侵蝕對IMC的影響，由于銀合金線IMC不能通過物理方法確認，需通過軟件測量計算和化學腐蝕試驗得到IMC覆蓋面積。詳述了銀合金線IMC的結(jié)合面積在封裝鍵合過程中如何準確地判定并監(jiān)控，避免因鍵合不良造成的可靠性隱患或潛在質(zhì)量問題。

半導體封裝載板（ICS或IC載板）是整體晶圓封裝的基礎，在半導體晶圓的納米世界與印刷電路板PCB的微米世界之間，建立了強大的連接。IC載板包含多層板，而且中央通常有一個支撐核心，可保護及支持封裝內(nèi)的芯片，在封裝芯片與下方的印刷電路板之間提供連接。ICS內(nèi)的鉆孔與導體線路比印刷電路板密集，同時也是裝載所有模組與封裝的最終基板。

濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點，則被稱為凸點下金屬層(UBM，Under Bump Metallurgy)。通常凸點下金屬層由兩層或三層金屬薄膜組成，包括：增強晶圓粘合性的黏附層;可在電鍍過程中提供電子的載流層;以及具有焊料潤濕性(Wettability)7,并可阻止鍍層和金屬之間形成化合物的擴散阻擋層。例如薄膜由鈦、銅和鎳組成，則鈦層作為黏附層，銅層作為載流層，鎳層作為阻擋層。因此，UBM對確保倒片封裝的質(zhì)量及可靠性十分重要。在RDL和WLCSP等封裝工藝中，金屬層的作用主要是形成金屬引線，因此通常由可提高粘性的黏附層及載流層構(gòu)成。

固態(tài)器件的制造分為以下五個不同的階段(如下圖所示

當n型半導體與p型半導體接觸時，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散，稱為擴散運動。當電子進入p型區(qū)域，空穴進入n型區(qū)域后，即與對方多子復合，留下了固定不動的原子核。這些原子核形成了一個內(nèi)建電場，使電子與空穴向反方向漂移。這兩種運動達到平衡時的結(jié)果就是形成一段沒有載流子的區(qū)域，稱為空間電荷區(qū)，也叫耗盡層。這個空間電荷區(qū)叫做PN結(jié)。

英特爾共同創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)在今年與世長辭，而他對半導體芯片晶體管密度持續(xù)增長的著名預測依舊聞名于世。詹姆斯·麥肯齊(James McKenzie)深入研究了這一60多年來仍然正確的預測，也就是大家所熟知的“摩爾定律”，但同時也提醒人們，這一定律的延續(xù)正日益困難，且成本不斷攀升。

通常對于光通信用的激光器，波導設計用來實現(xiàn)單一橫向模式。通過調(diào)節(jié)包覆層周圍區(qū)域的厚度、脊型波導器件中脊形的刻蝕深度等，從而得到單模器件。對于激光器的重要性體現(xiàn)在以下幾方面。

芯片粘接質(zhì)量是電路封裝質(zhì)量的一個關(guān)鍵方面，它直接影響電路的質(zhì)量和壽命。文章從芯片粘接強度的失效模式出發(fā)，分析了芯片粘接失效的幾種類型，并從失效原因出發(fā)對如何在芯片粘接過程中提高其粘接強度提出了四種解決途徑和方法，對提高芯片粘接強度和粘接可靠性具有參考價值。文章還指出了芯片粘接強度測試過程中的一些不當或注意點及其影響，并對不當?shù)臏y試方法給出了改進方法，能有效地避免測試方法不當帶來的誤判。