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半導(dǎo)體行業(yè)不可思議的強大動力源于其核心的器件創(chuàng)新。而且，當(dāng)今的企業(yè)面臨著巨大的競爭壓力，創(chuàng)新是保持其競爭優(yōu)勢的關(guān)鍵因素。

二極管是最基本的電路器件，硬件工程師經(jīng)常使用，但你未必能用對，未必能用好。

在半導(dǎo)體下線時對其性能和功率進行測試的做法開始在晶圓廠左移，扭轉(zhuǎn)了芯片在出貨前才進行評估的長期趨勢。

近日，新加坡南洋理工大學(xué)高煒博教授與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室張俊研究員合作，利用施主-受主對(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象，并建立了DAP IX的動力學(xué)模型，很好地解釋了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。

邏輯擴展面臨的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)和不斷上升的成本，以及對越來越多功能的需求，正在推動更多公司采用先進封裝。雖然這帶來了許多新的選擇，但它也引起了人們對什么最適合不同流程和技術(shù)的廣泛困惑。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。

提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動力。社會需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對于一些應(yīng)用來說，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市場的關(guān)鍵。主要例子包括汽車電氣化趨勢、高壓的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。

光熱轉(zhuǎn)換材料是指在光照條件下，能夠通過自身的光熱轉(zhuǎn)換機制將光能轉(zhuǎn)換為熱能的一類材料。

光掩膜版基本上是 IC 設(shè)計的“主模板”。掩模版有不同的尺寸。常見尺寸為 6 x 6 英寸一般的掩膜版由石英或玻璃基板組成。光掩膜版涂有不透明薄膜。更復(fù)雜的掩模版使用其他材料。