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引線框架主要由兩部分組成：芯片焊盤（die paddle）和引腳（lead finger）。作為集成電路的芯片載體，引線框架是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）使芯片內(nèi)部電路引出端（鍵合點）通過內(nèi)引線與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

隨著微波和毫米波技術(shù)的快速發(fā)展，毫米波混合集成電路和單片集成電路已廣泛運用于在雷達(dá)通信、制導(dǎo)等系統(tǒng)中。微帶傳輸線由于其尺寸較小，相對于金屬波導(dǎo)在設(shè)計上更為靈活，被廣泛的運用在毫米波電路中。然而，毫米波實驗儀器中的信號傳輸端口形式均為波導(dǎo)口結(jié)構(gòu)，因此完成波導(dǎo)與微帶電路間的轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。常見的波導(dǎo)-微帶過渡技術(shù)主要有三種：脊波導(dǎo)形式過渡，探針形式過渡，以及對脊鰭線過渡。本文主要對探針形式過渡進(jìn)行了理論分析以及仿真設(shè)計。最后，選擇M波段E面探針過渡結(jié)構(gòu)使用HFSS仿真軟件進(jìn)行了仿真設(shè)計。仿真結(jié)果表明，該過渡結(jié)構(gòu)的回波損耗在50-75GHz內(nèi)優(yōu)于-20dB，插入損耗優(yōu)于-0.1dB，滿足了實際工程需用。

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。

提高芯片的良率變得越來越困難，很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn)，有的雖勉強量產(chǎn)，但是良率始終無法爬坡式的提升，很多朋友會問：芯片的良率提升真的有那么難嗎？為什么會這么難？今天來聊聊。

浪潮云海在2023年5月正式發(fā)布新一代InCloud Rail G7系列超融合一體機，其內(nèi)置的InCloud dSAN超融合存儲組件，基于新一代的硬件平臺設(shè)計，支持全棧RDMA協(xié)議，同時在EC糾刪功能上也帶來全新體驗，為新時代用戶提供更豐富的產(chǎn)品功能。

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。

近期，鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911，這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片，具備超小封裝，專為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)計。在面向未來的技術(shù)發(fā)展中，鈺泰已將集成度提升至前所未有的水平，EM6911方案作為最新成果，旨在提供更高效率和更高功率密度的鋰電充電解決方案。與同類IC相比，EM6911在面積上縮小了65%，采用了QFN3*3-16封裝規(guī)格，進(jìn)一步增強了其競爭力。這一創(chuàng)新的產(chǎn)品將為智能終端設(shè)備的發(fā)展開啟新的可能性，并在電子領(lǐng)域的不斷演進(jìn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。期待看到EM6911在市場上的成功應(yīng)用，以及它在技術(shù)進(jìn)步方面的未來貢獻(xiàn)。

哪里需要認(rèn)知世界，哪里就有光源!從第一支燈泡橫空出世后，人類步入了照明時代。從鎢絲燈到高壓氣體放電燈，再到目前世界備受關(guān)注的LED光源,照明光源已經(jīng)滲透到各行各業(yè)!

我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物半導(dǎo)體的這些參數(shù)的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進(jìn)行了詳細(xì)的研究。因此，還對硅和化合物半導(dǎo)體的起泡過程進(jìn)行了比較。這項比較研究在技術(shù)上是相關(guān)的，因為離子注入誘導(dǎo)的層分裂與直接晶片鍵合相結(jié)合，