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隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及，開(kāi)關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料，但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同，磁芯損耗（鐵耗）會(huì)有很大的變化，這是變壓器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。本文將介紹為GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)。 目錄 支持高頻的材料的特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 相對(duì)以往的鐵氧體材料的優(yōu)越性 性能參數(shù) (f×B) 磁芯溫度的參考實(shí)驗(yàn) 使用PC200材料時(shí)的注意事項(xiàng) 支持高頻的材料的特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 TDK支持高頻的Mn-Zn系鐵氧體支

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。

應(yīng)對(duì)照明領(lǐng)域新版國(guó)標(biāo)-GB/T 17625.1-2022的實(shí)施，選擇瑞森半導(dǎo)體LLC方案助你實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀可靠的產(chǎn)品。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

三極管（BJT）是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，由兩個(gè)PN結(jié)組成，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。

低碳時(shí)代正在引領(lǐng)芯片向更小、更高效的方向發(fā)展。開(kāi)關(guān)電源在80年代替代線性電源之后，電源效率得到了極大的提升，尺寸也大大減少。隨著開(kāi)關(guān)電源在各個(gè)應(yīng)用上的不斷發(fā)展和消費(fèi)者對(duì)便攜性的要求，開(kāi)關(guān)電源繼續(xù)朝著小型化， 輕量化的趨勢(shì)發(fā)展。 本系列文章將分上、下兩篇來(lái)討論引領(lǐng)潮流的 AC/DC 解決方案。上篇將介紹無(wú)碳時(shí)代以及設(shè)計(jì)人員在使用傳統(tǒng)電源解決方案時(shí)面臨的問(wèn)題；下篇將討論高效率AC/DC 解決方案如何實(shí)現(xiàn)空間受限應(yīng)用的效率提升

電半導(dǎo)體裝置是現(xiàn)代電動(dòng)電子設(shè)備的基本成分,用于操縱高壓電流和電流,以及轉(zhuǎn)換和管理電力能源,這些裝置在電力電子應(yīng)用中至關(guān)重要,包括電力供應(yīng)、汽車驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和電動(dòng)車輛。 本章探討動(dòng)力二極管、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電

現(xiàn)在，發(fā)展迅猛的自動(dòng)化技術(shù)在我國(guó)掀起了熱潮，我們對(duì)機(jī)器視覺(jué)的認(rèn)識(shí)加深，每個(gè)人對(duì)它的看法發(fā)生了巨變。機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)讓大批量、持續(xù)生產(chǎn)的自動(dòng)化程度提高了，大大提高了為工業(yè)生產(chǎn)效率和產(chǎn)品精度。

本文通過(guò)對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過(guò)對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。

來(lái)源：半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為T(mén)SV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫(xiě)，意為“通過(guò)硅通孔”并翻譯為via硅的事實(shí)，它們垂直地穿過(guò)的芯片和允許在它們之間垂直互通。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽?編輯：感知芯視界 在2000年的第一個(gè)月，Santa Clara University的Sergey Savastiou教授在Solid State Technology期刊上發(fā)表了一篇名叫《Moore’s Law – the Z dimension》的文章。這篇文章最