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SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：單個SiC晶?？梢詿Y(jié)在一起形成堅固的陶瓷;SiC纖維可以添加到聚合物基質(zhì)中以形成復合材料，并且可以生長大的單個有機硅晶體以用于半導體應用。SiC也以礦物碳硅石的形式出現(xiàn)在自然界中，盡管很少見。

在典型的二極管中，p-n結(jié)由p型和n型半導體組合而成。然而，肖特基二極管是不同的：使用金屬代替p型半導體。然后，你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié)，而不是p-n結(jié)（這是這些二極管得名的地方）。

寬帶隙半導體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達400°C。

雖然較高的5G頻率可以提高速度和帶寬，但相同的高頻更具方向性，更容易衰減信號。此外，僅增加帶寬不會導致容量的線性增加，因為較高的帶寬也會導致較低的信噪比（SNR）。這需要通過增強信號來克服，這意味著增加發(fā)射功率，增加天線數(shù)量，增加蜂窩數(shù)量，或者像5G一樣，行使所有這些選項。

Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模塊，便于在單個封裝內(nèi)集成電路拓撲，從而以標準尺寸為功率電路提供更高的安培容量。該模塊體積緊湊，易于安裝啟用，在相同的配置條件下，與多種分立器件相比，其在某些系統(tǒng)設計中的性能更為出色。這有賴于該模塊在單個基底之內(nèi)整合了線路連接和封裝，因此無需進一步嵌入絕緣層，還能避免附加的寄生效應。您可以在 Wolfspeed?WolfPACK 系列頁面上了解關(guān)于 Wolfspeed WolfPACK 及其性能和其他規(guī)格等更多信息。

與硅相比，寬禁帶半導體技術(shù)，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基勢壘二極管（SBD）可為電源設計人員帶來諸多優(yōu)勢。更低的傳導和開關(guān)損耗提高了效率，高頻工作有助于減小電感、電容和變壓器等無源元件的尺寸。其高耐結(jié)溫能力支持采用更小的熱管理解決方案。Wolfspeed 產(chǎn)品支持 650 V 或更高的阻斷電壓，有助于減少高壓應用中所需的開關(guān)器件數(shù)量。

碳化硅解決方案滿足了依賴半導體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求，因為它們可以提高功率密度、降低開關(guān)損耗和開關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽能功率半導體能夠?qū)崿F(xiàn)更輕、更小、更高效的太陽能逆變器，這些逆變器可在環(huán)境溫度波動、高濕度和其他惡劣條件下吸收陽光并將其轉(zhuǎn)化為電能。

作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介紹面向VCSEL的干法工藝。

摘 要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路工藝設備、分立器件工藝設備等細分領域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。

所謂，RF MEMS 開關(guān)，是一種是小型的微機械開關(guān)，功耗低，可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān)，其中觸點打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導信號。在 RF MEMS 器件的情況下，開關(guān)的機械組件只有微米級尺寸。與電燈開關(guān)不同，在 RF MEMS 開關(guān)中傳導的信號在射頻范圍內(nèi)。