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EtherCAT常見于工廠自動化、半導(dǎo)體工具、包裝機(jī)器人技術(shù)以及其它應(yīng)用領(lǐng)域。我最喜歡的一個非工業(yè)應(yīng)用示例就是迪斯尼內(nèi)的水舞水幕秀，其中由EtherCAT來控制燈光顯示。

這視情況而定。目前的器件能夠很好地處理過沖和下沖；然而，為了獲得高于Vcc的恒定電壓，器件在結(jié)構(gòu)上必須能夠處理高于Vcc的電壓。

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。

石墨烯纖維及其紡織品可以通過目前工業(yè)上可用的防潮技術(shù)從具有高質(zhì)量特性的石墨烯和纖維素中獲得，國產(chǎn)石墨烯纖維的斷裂能已接近碳纖維T 300，其拉伸強(qiáng)度約為500 Mpa，但與石墨烯單片拉伸強(qiáng)度130 Gpa相比，仍有很大的改進(jìn)空間。

幾乎每一個電子系統(tǒng)均需要某種類型的邏輯器件。憑借TI的海量產(chǎn)品組合，我們差不多能幫助滿足任何邏輯需求。雖然所有這些器件都供用戶精挑細(xì)選，但有時為一種設(shè)計選擇恰當(dāng)?shù)倪壿嬈骷s是一項令人望而生畏的工作。知道您正在尋找的確切邏輯功能和電壓范圍極為有助，但大體符合您標(biāo)準(zhǔn)的器件仍可能數(shù)不勝數(shù)。因此，讓我們討論一下為什么TI擁有那么多不同的選項，也探究一下如何為您的設(shè)計選擇合適的器件。

諸如高精度電機(jī)控制或等離子蝕刻機(jī)等工業(yè)應(yīng)用仍然無法充分利用先進(jìn)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的功能。由于這些系統(tǒng)監(jiān)視一個頻率為數(shù)百千赫的小輸入信號，以及其更小的諧波，它們對于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的1/f噪聲或閃爍噪聲非常敏感（請見圖1）。

與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能， 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn)， 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 SiC 器件。首先對 SiC 金屬氧化物半導(dǎo)體 場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進(jìn)行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數(shù)受溫度的影響機(jī)理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉(zhuǎn)移特性等參量， 以便找到能夠表征結(jié) 溫特性的電氣參量;然后研究分析了功率器件結(jié)溫測量的各類方法， 并重點闡述了溫敏電參數(shù) (TSEP) 法在 SiC MOSFET 結(jié)溫評估領(lǐng)域的應(yīng)用前景， 從線性度、 靈敏度等 6 個方面對比分析了 各方法的優(yōu)缺點， 并指出閾值電壓和體二極管壓降作為 TSEP 具有顯著優(yōu)勢;最后分析了 TSEP 法在目前工程應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)， 并對未來的研究工作進(jìn)行了展望。

芯片升級的兩個永恒主題：性能、體積/面積。芯片技術(shù)的發(fā)展，推動著芯片朝著高性能和輕薄化兩個方向提升。而先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的進(jìn)步，均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進(jìn)。面對美國的技術(shù)封裝，華為難以在全球化的先進(jìn)制程中分一杯羹，手機(jī)、HPC等需要先進(jìn)制程的芯片供應(yīng)受到嚴(yán)重阻礙，亟需另辟蹊徑。而先進(jìn)封裝/Chiplet等技術(shù)，能夠一定程度彌補(bǔ)先進(jìn)制程的缺失，用面積和堆疊換取算力和性能。

　半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關(guān)注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。

我們聊了關(guān)于UPS的概念和分類，以及在線式UPS的三個工作模式。第三代寬禁帶半導(dǎo)體WBG的誕生和發(fā)展，讓很多使用Si基半導(dǎo)體器件的行業(yè)得到提升，今天我們就簡單地聊聊SiC在UPS中的應(yīng)用優(yōu)勢。