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　　三極管是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。

咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩塊重摻雜的P型半導(dǎo)體，這兩塊兩塊重摻雜的P型半導(dǎo)體分別為PMOS的源級和漏極，金屬部分和NMOS一樣仍然作為柵極。PMOS導(dǎo)電靠的是溝道中的空穴。

上一期中提到 當V_DS>V_GS-V_TH時，溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng)，溝道的長度對略微減小。很多場景我們可以忽略這個長度的變化，但是當精度要求比較高的時候，我們就需要把溝道長度的變化考慮進來。

Fig. 2標出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸，包括溝道的有效長度L_eff（導(dǎo)體的長度L_drawn略大于L_eff），溝道的寬度W，絕緣層的厚度t_ox，這些參數(shù)主要影響溝道兩側(cè)的電容和溝道的電阻，從而影響著電壓電流的關(guān)系，后面的表達式會用到這些尺寸。

　　現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET，學好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。

碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站等領(lǐng)域的應(yīng)用需求 越來越大。與硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不同,碳化硅器件必須在外延膜上進行加工,因此碳化硅外延設(shè)備在整個產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù) 承上啟下的重要位置,而且也是整個產(chǎn)業(yè)鏈中最復(fù)雜、最難開發(fā)的設(shè)備。本文從碳化硅外延生長機理出發(fā),結(jié)合反應(yīng) 室設(shè)計和材料科學的發(fā)展,介紹了化學氣相沉積(CVD)法碳化硅外延設(shè)備反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等的技術(shù)進 展,最后分析了 CVD 法碳化硅外延設(shè)備未來的研究重點和發(fā)展方向。

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。 經(jīng)過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。 通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的復(fù)制品。

ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC　SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品。

電子行業(yè)最持久的趨勢之一是小型化。電力電子設(shè)計人員的目標是通過使用WBG半導(dǎo)體器件來提高轉(zhuǎn)換效率。WBG 器件可以在高開關(guān)頻率和高溫下工作。它們的使用可以減小無源元件的尺寸，帶來整體更緊湊的設(shè)計，并增加轉(zhuǎn)換器的功率密度，從而使小型化成為強制性的。WBG器件還以極高的電壓壓擺率運行，產(chǎn)生更多的高頻發(fā)射。

電力電子設(shè)計人員不斷嘗試通過提高轉(zhuǎn)換效率來減小整體設(shè)計尺寸。他們這樣做的一種方法是使用寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，WBG 器件可以在更高的開關(guān)頻率和更高的溫度下工作。它們的使用可以減小無源元件的尺寸，帶來整體更緊湊的設(shè)計，并提高轉(zhuǎn)換器單位體積的功率密度，從而使小型化成為強制性的。WBG器件還以極高的電壓壓擺率運行，產(chǎn)生更多的高頻發(fā)射。