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晶體二極管也稱為半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱二極管。內(nèi)部由一塊P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體經(jīng)特殊工藝加工，在其接觸面上形成一個(gè)PN結(jié)。外部有兩個(gè)電極，分別稱為正極（P型區(qū)一側(cè)）和負(fù)極（N型區(qū)一側(cè)），使用時(shí)不能將正負(fù)極接反。二極管具有單向?qū)щ娦裕捎糜谡?、檢波、穩(wěn)壓等電路中。用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換等。

在熱力學(xué)溫度零度和沒有外界能量激發(fā)時(shí)，價(jià)電子受共價(jià)鍵的束縛，晶體中不存在自由運(yùn)動(dòng)的電子，半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。

通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí)，將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流大小。

在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會(huì)有電子匯聚，也會(huì)形成反型層，造成漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。

在PN結(jié)施加反向電壓，耗盡層會(huì)逐漸變寬，通過改變耗盡層寬度來對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。

單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素，呈晶體結(jié)構(gòu)，內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。在高溫或光照下，其電子沖破束縛，成為自由電子。電子跑出后留下的空位稱為空穴。半導(dǎo)體有電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電兩種形式。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。

晶體二極管簡(jiǎn)稱二極管，是在本征半導(dǎo)體基片上利用摻雜生成一個(gè)P區(qū)和一個(gè)N區(qū)，并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線，再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。

由于界面固定電荷沒有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計(jì)算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能帶結(jié)構(gòu)建立了肖特基柵和絕緣柵HEMT器件的平帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢(shì)壘層界面電荷對(duì)兩個(gè)模型進(jìn)行對(duì)比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。

二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級(jí)的靈敏度，最高甚至達(dá)到ppb的量級(jí)，還具有進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。