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功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為故障發(fā)生的原因。 因此，我們正努力減少功率半導(dǎo)體本身因發(fā)熱而導(dǎo)致的功率損失，進(jìn)而有效地將其產(chǎn)生的熱量釋放到外部。

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般出現(xiàn)在了充電行業(yè)。 然后隨之而來的，就是我們憧憬已久的幻想開始實現(xiàn)：快速充電，更快速充電。 到 2022 年的今天，功率甚至已經(jīng)在突破 200 這個數(shù)字上初現(xiàn)端倪。

幾十年來，以MOSFET和IGBT為代表的硅技術(shù)一直是功率逆變器的主要開關(guān)解決方案。這兩種器件自問世以來就一直在通過改進(jìn)設(shè)計來降低轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)損耗，以便構(gòu)建更加高效的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

　　需要注意的是，無論N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體還是二極管，均為電中性，原因很簡單，在生產(chǎn)過程中加入的所有元素均為電中性，產(chǎn)物自然不會帶電。

半導(dǎo)體，通常指硅基的半導(dǎo)體材料，這類材料可以通過摻雜產(chǎn)生富電子及富空穴的區(qū)域（自行修讀半導(dǎo)體物理），而在外部電場的影響下，能使材料表現(xiàn)出導(dǎo)通電流和非導(dǎo)通電流的狀態(tài)，從而實現(xiàn)邏輯功能或0/1控制。

寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。

最近，GaN一直是反射頻電子戰(zhàn)（CREW）應(yīng)用的首選技術(shù)，提供了數(shù)以萬計的放大器供現(xiàn)場使用。該技術(shù)現(xiàn)在也部署在機載電子戰(zhàn)領(lǐng)域，正在開發(fā)的放大器能夠在射頻/微波范圍內(nèi)的多個倍頻程上提供數(shù)百瓦的輸出功率。

早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后，由于硅管生產(chǎn)工藝很高效，鍺管逐漸被淘汰。經(jīng)半個世紀(jì)的發(fā)展，三極管種類繁多，形貌各異。

LED是一種半導(dǎo)體，通電即會發(fā)光。憑借其高效率、長壽命和其他突出的特點，成為LCD液晶顯示模組的核心材料，為LCD的背光模組提供足夠的光源；其應(yīng)用場景如下圖所示：

由于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步，如今集成電路（IC）出現(xiàn)在包括醫(yī)療設(shè)備在內(nèi)的各種設(shè)備中。醫(yī)療應(yīng)用面臨的一個特殊挑戰(zhàn)是需要保持產(chǎn)品無菌，不受真菌、細(xì)菌、病毒和孢子形式等有害污染物的影響。盡管關(guān)于滅菌方法和設(shè)備的文獻(xiàn)相當(dāng)多，但關(guān)于滅菌對電子產(chǎn)品的影響的文章很少。本應(yīng)用筆記比較了常用的滅菌方法，并討論了它們對含有電子元件的物體的適用性。