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半導(dǎo)體封裝是指將通過測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。封裝技術(shù)是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。封裝技術(shù)對(duì)于芯片來說是必須的，也是至關(guān)重要的。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB的設(shè)計(jì)和制造，因此它是至關(guān)重要的。

HA：MEMS包含各種可動(dòng)元件并且需要各種檢測(cè)工藝。對(duì)于不同的檢測(cè)工藝通常需要多個(gè)步驟，而在產(chǎn)線中具有縮減檢測(cè)過程的需求。ViSCO實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)，提供了整套解決方案，包含外觀檢測(cè)視覺控制器、VTV-9000和光學(xué)識(shí)別技術(shù)?？梢栽谝粋€(gè)步驟進(jìn)行多次檢測(cè)，利用高效的圖像采集節(jié)省了空間，檢測(cè)吞吐更快。

美國西北大學(xué)量子器件中心研制出了M-結(jié)構(gòu)的超晶格材料，降低了長波、超長波探測(cè)器中遂穿及擴(kuò)散電流，因此將暗電流降低了1個(gè)數(shù)量級(jí)。利用此結(jié)構(gòu)制備出了長波和甚長波紅外探測(cè)器。

而臺(tái)積電在堅(jiān)持了 20nm 和 16nm 兩代之后，也主動(dòng)回到了 10nm 的正軌。原因非常簡(jiǎn)單，因?yàn)?NAND 顆粒并不是制程越小性能越好，20nm 之后就會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的電子干擾，所以在 20nm 制程后，各大廠商都轉(zhuǎn)向了3D NAND 技術(shù)（如果大家對(duì)閃存有興趣我們今后也可以科普），再往后大家也不在 NAND 的制程上較勁了。

國內(nèi)首條先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試示范產(chǎn)線啟動(dòng) 海寧日?qǐng)?bào)消息顯示，4月16日中科院半導(dǎo)體所海寧先進(jìn)半導(dǎo)體與智能技術(shù)研究院“先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試示范產(chǎn)線”舉行啟動(dòng)儀式。

由于非晶硅沒有晶體所要求的周期性原子排列，可以不考慮制備晶體所必須考慮的材料與襯底間的晶格失配問題。因而它幾乎可以淀積在任何襯底上，包括廉價(jià)的玻璃襯底，并且易于實(shí)現(xiàn)大面積化。

3μm波段位于水的吸收峰與紅外光譜指紋區(qū)內(nèi)，它在生物醫(yī)學(xué)、大氣遙感、光電對(duì)抗等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。高峰值功率3μm調(diào)Q激光器還可以作為光參量振蕩器（OPO）的泵浦源，高效率地產(chǎn)生可調(diào)諧中紅外參量激光，將相干光源拓展到中紅外波段。

大多數(shù)測(cè)序技術(shù)都在某種程度上使用微觀結(jié)構(gòu)，微型珠、孔、膜、圖案化表面和納米孔，都是可以在測(cè)序耗材中找到的微結(jié)構(gòu)。大部分廠商的測(cè)序耗材正利用半導(dǎo)體技術(shù)以可復(fù)制且可擴(kuò)展的方式制造這些微結(jié)構(gòu)。擴(kuò)大測(cè)序能力的關(guān)鍵始終在于增加流動(dòng)池的密度，以在同一表面區(qū)域生成更多數(shù)據(jù)。過去15年來，測(cè)序成本的下降速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過摩爾定律，這絕非巧合。

埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。

三菱電機(jī)株式會(huì)社作為為降低太陽能發(fā)電和EV用充電器等電源系統(tǒng)的耗電量、縮小其體積做出貢獻(xiàn)的功率半導(dǎo)體新產(chǎn)品，對(duì)于采用了SiC※1耐壓1200V的「1200V SiC-SBD※2」5型將于2019年6月開始提供樣本，從2020年1月起依次發(fā)售。