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它們將高性能光學(xué)控制與基于最先進(jìn)半導(dǎo)體工藝的并行數(shù)字處理相結(jié)合。結(jié)果，系統(tǒng)需要大量的電源域，其中許多電源域提供高電流和低電壓的組合。為了適應(yīng)現(xiàn)代通信樞紐，電力系統(tǒng)需要高效。隨著電壓的降低，對(duì)效率的需求迫使能源發(fā)送到每個(gè)處理器和光收發(fā)器模塊的方式發(fā)生了變化。

在過去二十年中，隨著功率半導(dǎo)體，轉(zhuǎn)換器架構(gòu)，磁性元件和封裝技術(shù)的進(jìn)步，曾經(jīng)只能從大尺寸隔離模塊中獲得的功率水平向下遷移，同時(shí)轉(zhuǎn)換效率也隨之提高。結(jié)果是系統(tǒng)板需求由更小的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器磚提供，具有新的，更高水平的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。例如，1/4和1/8的磚塊可提供數(shù)百瓦的隔離電源，轉(zhuǎn)換效率超過90％，功率密度超過500 W/in3，可取代分布式電源架構(gòu)中的全磚和半磚。類似地，1/16th和1/32的磚正在向上移動(dòng)，以處理中間總線架構(gòu)（IBA）的功率需求。

磁傳感器是一種能夠以與變化或中斷成比例的方式響應(yīng)磁場變化或中斷的設(shè)備。磁傳感器的類型包括依賴于霍爾效應(yīng)的磁傳感器和基于磁阻（MR）效應(yīng)的磁傳感器。這兩種傳感器的主要功能區(qū)別在于霍爾效應(yīng)傳感器響應(yīng)垂直于傳感器場的場的變化，而MR傳感器響應(yīng)平行于傳感器場的場變化（圖1）。

低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，如德州儀器（TI）TPS797xx系列，飛兆半導(dǎo)體FAN2558，麥克雷爾MIC5248和MIC5258以及ADI公司ADP2140等，提供特定的“電源良好”輸出信號(hào)作為漏極開路輸出。通常用于基于MCU的低功耗應(yīng)用，這類器件提供的電源良好信號(hào)通?？梢灾苯邮褂?，也可以只使用簡單的上拉電阻。它可以直接用作MCU的上電復(fù)位信號(hào)或低功率信號(hào)，適用于更一般的應(yīng)用。

NTC熱敏電阻對(duì)溫度變化的敏感度，即使是小幅增加，也能使該器件用于溫度傳感/控制應(yīng)用。這些器件允許LED在整個(gè)溫度范圍內(nèi)承受更高的電流（通過補(bǔ)償），以提高LED的使用壽命?？梢酝ㄟ^NTC熱敏電阻根據(jù)環(huán)境溫度控制電流，如圖1所示。

雖然單相降壓控制器適用于電流要求高達(dá)約25 A的低壓變換器應(yīng)用，但當(dāng)負(fù)載電壓較低且電流要求較高時(shí)，功耗和效率開始成為問題。對(duì)于工作電壓低于2 V且需要50 A或更高電流來處理數(shù)據(jù)的新一代高速處理器尤其如此。多相降壓轉(zhuǎn)換器有望解決這個(gè)問題。

新一代1 W型白光LED具有改進(jìn)的功能，可為各種照明應(yīng)用提供更高的效率。它們結(jié)合了高光通量，降低的正向電壓和更低的熱阻。所有這些特性都會(huì)影響LED壽命和LED亮度，整體效果比上一代產(chǎn)品更高。

從環(huán)境中獲取能量可以提供持續(xù)的電力來源，適用于許多應(yīng)用。然而，用于提取能量的可用能量存儲(chǔ)裝置和換能器的輸出可能低于適合于典型部件的水平。在構(gòu)建高效能量采集設(shè)計(jì)時(shí)，工程師可以利用可用于輸入電壓遠(yuǎn)低于1 V的可用升壓轉(zhuǎn)換器器件，這些器件包括Intersil，Linear Technology，Maxim Integrated，Microchip和Texas Instruments等制造商。

傳感器已成為許多系統(tǒng)中的常規(guī)功能。它們與許多其他外圍設(shè)備一起存在，以增加可以納入系統(tǒng)正在完成的工作的環(huán)境輸入范圍。但是，在某些系統(tǒng)中，傳感器的數(shù)量可能會(huì)壓倒其他更傳統(tǒng)的外圍設(shè)備，并且可能比其他外圍設(shè)備更能影響性能。

此外，熟悉白光LED的工程師通過考慮諸如光通量（流明 - 流明）和功效（流明/瓦特）等參數(shù)來比較器件之間的比較。流明/瓦）。然而，比較離散的皇家藍(lán)色LED是不同的;制造商歷史上已經(jīng)指定了LED的輻射通量（以毫瓦 - 瓦為單位）而不是發(fā)光度，并且效率已經(jīng)讓位于效率（毫瓦/W-mW/W）。