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電源設(shè)計(jì)小貼士 14：SEPIC 轉(zhuǎn)換器提供高效偏置電源

GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計(jì)

3.7場(chǎng)效應(yīng)管概述

也就是說(shuō)，如果沒(méi)有新自由主義勢(shì)力對(duì)改革開(kāi)放的干擾和破壞，中國(guó)保持新中國(guó)建國(guó)以來(lái)一直有的“兩彈一星”精神和模式發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，中國(guó)工業(yè)應(yīng)該比現(xiàn)在的狀態(tài)要“厲害”得多得多——這是美國(guó)的培植的公知及公知偽裝成的五毛們都極力否認(rèn)的基本事實(shí)，他們都否認(rèn)新自由主義勢(shì)力對(duì)中國(guó)的經(jīng)濟(jì)、金融和工業(yè)產(chǎn)生了嚴(yán)重的破壞。

功率幾乎是每一個(gè)電子設(shè)計(jì)中的共同主題，有效地管理和使用功率是現(xiàn)代面臨的挑戰(zhàn)之一。

在過(guò)去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。本文旨在說(shuō)明隨著頻率性能的不斷提高，這些演進(jìn)技術(shù)的多樣性和其潛在的影響。

隨著網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展以及寬帶接入技術(shù)的不斷進(jìn)步，網(wǎng)絡(luò)已成為人們生活中不可或缺的一部分。在網(wǎng)絡(luò)化的過(guò)程中，網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性與高速傳輸始終是我們不斷優(yōu)化與完善的重要目標(biāo)。

但近期有個(gè)震驚業(yè)界的消息傳出，Google 未來(lái)采用 7 納米制程工藝的 TPU 芯片，將會(huì)首度從臺(tái)積電轉(zhuǎn)單到三星生產(chǎn)，屆時(shí)三星也將包辦 ASIC 設(shè)計(jì)、芯片制造到后段封測(cè)，這恐怕將成為三星在 7 納米戰(zhàn)役上的一大勝利，搶下臺(tái)積電在人工智能芯片客戶群中的“鎮(zhèn)廟大神”！

通過(guò)仿真和實(shí)測(cè)，IKQ75N120CS6單管方案在400ADC逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)頻率fsw=30 kHz, 輸出電流=400 ADC/ 30 VDC, 輸入電壓=3?, 380 VRMS條件下，結(jié)溫只有130℃左右，還是有一定余量的?？梢灶A(yù)期，開(kāi)關(guān)頻率還可以進(jìn)一步提高，或者，利用傳統(tǒng)方案（通過(guò)絕緣墊片安裝IGBT單管，散熱器不用做系統(tǒng)隔離），設(shè)計(jì)350ADC-400ADC逆變焊機(jī)還是完全有可能的。

研究小組成員黃英杰博士說(shuō)：“還有一個(gè)附加優(yōu)勢(shì)是鈣鈦礦材料易于合成，這本身就有助于規(guī)模化生產(chǎn)，進(jìn)而降低顯示器的生產(chǎn)成本。鈣鈦礦材料和前體化學(xué)材料的反應(yīng)與形成納米晶體的時(shí)間通常在10秒量級(jí)。”